別錯(cuò)過了振蕩器的各大重要組成參數(shù)值信息

石英晶體振蕩器是由晶體和振蕩器電路組成的時(shí)間定時(shí)裝置,在電路系統(tǒng)中提供電平輸出波形的頻率信號(hào),當(dāng)石英晶體被放入電路放大器時(shí),電波能量被指令傳輸?shù)骄w,導(dǎo)致振動(dòng)起到振蕩效應(yīng),起到一定的高穩(wěn)定性頻率作用反饋到網(wǎng)絡(luò)電腦終端開啟工作運(yùn)轉(zhuǎn),所以石英晶振是現(xiàn)在大部分電子產(chǎn)品的重要部署元器件之一.

對(duì)稱性(占空比):對(duì)稱性通常也稱為占空比,是輸出波均勻性(或?qū)ΨQ性)的度量,對(duì)稱性是有源晶振輸出波形處于邏輯高狀態(tài)的時(shí)間的度量,表示為百分比完整周期的年齡(％),完美對(duì)稱的波形在50％的時(shí)間內(nèi)處于邏輯高狀態(tài),并且在a中邏輯低狀態(tài)占50％的時(shí)間,并表示為50/50％,典型的對(duì)稱公差為40/60％,緊身的sym計(jì)量被認(rèn)為是45/55％,該參數(shù)在指定的電壓閾值或百分比下測(cè)量輸出波形,見圖1.

輸出電壓電平(邏輯電平):輸出電壓電平高或"邏輯1"和輸出電壓電平低或"邏輯0"是電壓閾值必須通過貼片石英振蕩器的輸出波形達(dá)到,所需的輸出電平取決于振蕩器必須驅(qū)動(dòng)的負(fù)載類型和電源電壓,有時(shí)HCMOS輸出電壓電平表示為電源電壓的百分比.見圖1.

輸出負(fù)載:輸出負(fù)載是振蕩器可以驅(qū)動(dòng)的最大負(fù)載,它根據(jù)門數(shù)或負(fù)載類型來規(guī)定電路,例如:HCMOS,TTL和ECL是振蕩器必須驅(qū)動(dòng)的最常見負(fù)載類型,HCMOS負(fù)載通常指定為pF(皮法)的容性負(fù)載,TTL負(fù)載被指定為多個(gè)TTL門,ECL被指定為指定電壓的電阻負(fù)載,圖2至圖3示出了振蕩器測(cè)試電路這里提到的負(fù)載需要,當(dāng)石英晶體可以在所有規(guī)格下驅(qū)動(dòng)HCMOS和TTL負(fù)載時(shí)在操作條件不同的情況下,命名法與HCMOS/TTL兼容,振蕩器必須驅(qū)動(dòng)的負(fù)載類型是測(cè)量波形參數(shù)(如邏輯電平)時(shí)使用的電壓閾值的決定因素,占空比和上升/下降時(shí)間.

中心頻率:VCXO晶振或VCTCXO晶振的中心頻率是中心控制電壓@ 25°C時(shí)的輸出頻率,它被指定為目標(biāo)頻率,其頻率偏離目標(biāo)頻率,目標(biāo)頻率以MHz(兆赫茲)或kHz(千赫茲)表示,頻率容差以±ppm(零件)指定每百萬),例如:20MHz,±25ppm @ 25°C是中心頻率的典型規(guī)格.

TCXO(溫度補(bǔ)償晶振):TCXO是一種帶溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的石英晶體振蕩器,一個(gè)典型的整體頻率容差可以通過TCXO實(shí)現(xiàn)±0.5ppm至±5.0ppm,TCXO網(wǎng)絡(luò)通常包括一個(gè)微調(diào)電容器可用于補(bǔ)償由于老化引起的頻移和/或?qū)⒄袷幤髡{(diào)諧到精確的頻率,定義的許多VCXO術(shù)語(如中心頻率和可移動(dòng)性)也適用于TCXO規(guī)范,然而,在TCXO規(guī)范中,這些術(shù)語指的是修整器范圍內(nèi)的頻率容差和可牽引性電容而不是控制電壓,由于TCXO具有必須可接近的微調(diào)電容器,因此它們是通常不是氣密密封或適合暴露于元素.

振蕩器是用來產(chǎn)生重復(fù)電子信號(hào)的電子元件,構(gòu)成的電路效應(yīng)叫振蕩電路,要想產(chǎn)品時(shí)間不停止轉(zhuǎn)動(dòng),晶振就得不停的運(yùn)動(dòng)以致在每次的電路循環(huán)中添加少許能量,其實(shí)鐘表在敲鐘是都能得到一定的推力作用,在集成電路系統(tǒng)中電容將脈沖信號(hào)輸送從這個(gè)管子到另外一個(gè)管子,就使其產(chǎn)生了振蕩電流電壓,振蕩器區(qū)分低頻和高頻,低頻振蕩器頻率通常在0.1~50HZ之間,高頻則在100~500HZ甚至更高的頻率范圍.