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全球首家上百萬進(jìn)口晶振代理商

深圳市康華爾電子有限公司

國際進(jìn)口晶振品牌首選康華爾

首頁 歐美晶振

瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體

瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體

產(chǎn)品簡介

小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī)晶振,全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).

產(chǎn)品詳情

1

瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

瑞康晶振主要以石英晶體技術(shù)為基礎(chǔ),利用其獨(dú)特和自然的壓電性能,瑞康無源晶振產(chǎn)品創(chuàng)造出非常精確的電信號(hào).這些信號(hào)用于在最苛刻的通信應(yīng)用中產(chǎn)生無線電波并同步時(shí)間.通過獨(dú)特的專有流程,持續(xù)創(chuàng)新和研發(fā),專家咨詢和不斷的技術(shù)進(jìn)步,實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)領(lǐng)先. 瑞康Rakon晶振憑借無可挑剔的質(zhì)量控制來支持其獨(dú)創(chuàng)性,達(dá)到國際最高制造標(biāo)準(zhǔn).

石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于貼片晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于耐高溫晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.

2

Rakon晶振

單位

RTF2012晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±20ppm

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

6.0pF

9.0pF

12.5pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

RTF2012

4

引線類型產(chǎn)品

當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.

保管

保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化.請(qǐng)?jiān)跊]有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管.

晶體諧振器

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.

晶體振蕩器

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣

裝載SMD產(chǎn)品

SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒有影響.在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得32.768K晶振產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.

RTF2012

5

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