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X1G005591031100日本EPSON愛普生石英晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)變化

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X1G005591031100日本EPSON愛普生石英晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)變化
金屬殼封裝等效電路與金屬板之間的靜電電容；L、C為壓電諧振的等效參量；R為振動(dòng)磨擦損耗的等效電阻.石英晶體諧振器存在一個(gè)串聯(lián)諧振頻率fos（1/2π）,愛普生晶振同時(shí)也存在一個(gè)并聯(lián)諧振頻率fop（1/2π).由于CoC,fop與fos之間之差值很小,并且RωOL,R1/ωOC,所以諧振電路的品質(zhì)因數(shù)Q非常高（可達(dá)數(shù)百萬）.

X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器

愛普生有源晶振編碼 型號(hào) 頻率 長(zhǎng)X寬X高 輸出波 電源電壓 工作溫度 頻差 最大值
X1G005591006000 SG-8018CE 23.040000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006100 SG-8018CE 28.636360 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006200 SG-8018CE 14.430000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006300 SG-8018CE 8.439025 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006400 SG-8018CE 29.491200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006500 SG-8018CE 22.222200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031100 SG-8018CE 30.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591006600 SG-8018CE 19.660800 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006700 SG-8018CE 6.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006800 SG-8018CE 7.680000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591006900 SG-8018CE 74.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591007000 SG-8018CE 88.888000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591007100 SG-8018CE 88.888000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591007200 SG-8018CE 12.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591007300 SG-8018CE 148.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 8.1 mA
X1G005591007400 SG-8018CE 74.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591007500 SG-8018CE 57.272720 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591007600 SG-8018CE 37.125000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591007700 SG-8018CE 19.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591007800 SG-8018CE 6.005284 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591007900 SG-8018CE 57.209760 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591008000 SG-8018CE 10.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591008100 SG-8018CE 133.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 8.1 mA
X1G005591008200 SG-8018CE 32.400000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591008300 SG-8018CE 22.579200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
石英晶振振蕩器SPXO的總精度（包括起始精度和隨溫度、電壓及負(fù)載產(chǎn)生的變化）可以達(dá)到±25ppm.SPXO既無溫度補(bǔ)償也無溫度控制措施,其頻率溫度特性幾乎完全由石英晶體振子的頻率溫度特性所決定.在0～70℃范圍內(nèi),日產(chǎn)晶振SPXO的頻率穩(wěn)定度通常為20～1000ppm,SPXO可以用作鐘頻振蕩器.溫度補(bǔ)償晶體振蕩器TCXO是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器.X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器

QQ截圖20220831172044

QQ截圖20220831172057

從而使石英晶體諧振器組成的振蕩器頻率穩(wěn)定度十分高,可達(dá)10－12/日.石英晶體振蕩器的振蕩頻率既可近似工作于fos處,有源晶體振蕩器也可工作在fop附近,因此石英晶體振蕩器可分串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種.用石英晶體諧振器及其等效電路,取代LC振蕩器中構(gòu)成諧振回路的電感（L）和電容（C）元件,則很容易理解晶體振蕩器的工作原理.X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器

QQ截圖20220831172020

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