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X1G005591031100日本EPSON愛普生石英晶體振蕩器的結構變化

2022-08-31 18:08:53 康華爾電子

X1G005591031100日本EPSON愛普生石英晶體振蕩器的結構變化
金屬殼封裝等效電路與金屬板之間的靜電電容；L、C為壓電諧振的等效參量；R為振動磨擦損耗的等效電阻.石英晶體諧振器存在一個串聯(lián)諧振頻率fos（1/2π）,愛普生晶振同時也存在一個并聯(lián)諧振頻率fop（1/2π).由于CoC,fop與fos之間之差值很小,并且RωOL,R1/ωOC,所以諧振電路的品質因數(shù)Q非常高（可達數(shù)百萬）.

X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器

愛普生有源晶振編碼 型號 頻率 長X寬X高 輸出波 電源電壓 工作溫度 頻差 最大值
X1G005591006000 SG-8018CE 23.040000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006100 SG-8018CE 28.636360MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006200 SG-8018CE 14.430000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006300 SG-8018CE 8.439025MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006400 SG-8018CE 29.491200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006500 SG-8018CE 22.222200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591031100 SG-8018CE 30.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591006600 SG-8018CE 19.660800MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006700 SG-8018CE 6.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006800 SG-8018CE 7.680000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591006900 SG-8018CE 74.250000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591007000 SG-8018CE 88.888000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.9mA
X1G005591007100 SG-8018CE 88.888000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.9mA
X1G005591007200 SG-8018CE 12.500000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591007300 SG-8018CE 148.500000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤8.1mA
X1G005591007400 SG-8018CE 74.250000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591007500 SG-8018CE 57.272720MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591007600 SG-8018CE 37.125000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591007700 SG-8018CE 19.200000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591007800 SG-8018CE 6.005284MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591007900 SG-8018CE 57.209760MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤5.2mA
X1G005591008000 SG-8018CE 10.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤3.5mA
X1G005591008100 SG-8018CE 133.000000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤8.1mA
X1G005591008200 SG-8018CE 32.400000MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
X1G005591008300 SG-8018CE 22.579200MHz 3.20x2.50x1.20mm CMOS 1.620to3.630V -40to105°C +/-50ppm ≤4.4mA
石英晶振振蕩器SPXO的總精度（包括起始精度和隨溫度、電壓及負載產(chǎn)生的變化）可以達到±25ppm.SPXO既無溫度補償也無溫度控制措施,其頻率溫度特性幾乎完全由石英晶體振子的頻率溫度特性所決定.在0～70℃范圍內,日產(chǎn)晶振SPXO的頻率穩(wěn)定度通常為20～1000ppm,SPXO可以用作鐘頻振蕩器.溫度補償晶體振蕩器TCXO是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器.X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器

QQ截圖20220831172044

QQ截圖20220831172057

從而使石英晶體諧振器組成的振蕩器頻率穩(wěn)定度十分高,可達10－12/日.石英晶體振蕩器的振蕩頻率既可近似工作于fos處,有源晶體振蕩器也可工作在fop附近,因此石英晶體振蕩器可分串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種.用石英晶體諧振器及其等效電路,取代LC振蕩器中構成諧振回路的電感（L）和電容（C）元件,則很容易理解晶體振蕩器的工作原理.X1G005591031100日本EPSON晶振,愛普生石英晶體振蕩器

QQ截圖20220831172020

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