国产精品国产三级国产av中文_三年片在线观看免费视频_草草成人a∨在线观看视频_四虎国产精品永久地址入口_欧美成人精品三级网站视频_久久精品国产第一区二区三区_最近中文字幕完整视频_亚洲熟妇真实自拍另类_国产亚洲人成网站观看_欧美放荡的少妇国产精品国产三级国产av中文_三年片在线观看免费视频_草草成人a∨在线观看视频_四虎国产精品永久地址入口_欧美成人精品三级网站视频_久久精品国产第一区二区三区_最近中文字幕完整视频_亚洲熟妇真实自拍另类_国产亚洲人成网站观看_欧美放荡的少妇

康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

手機(jī)端 手機(jī)二維碼 收藏KON微信號(hào) 微信號(hào) 網(wǎng)站地圖

康華爾電子-中國(guó)供應(yīng)商

KONUAER NIHON DEMPA KOGYO CO., LTD.

客戶至上—進(jìn)口晶振品牌選擇康華爾

全國(guó)統(tǒng)一服務(wù)熱線:

86-0755-27838351

晶振帝國(guó)
當(dāng)前位置首頁(yè) » 行業(yè)資訊 » 愛普生有源晶振X1G005591030700和無(wú)源晶振振動(dòng)頻率區(qū)別

愛普生有源晶振X1G005591030700和無(wú)源晶振振動(dòng)頻率區(qū)別

返回列表 來(lái)源:康華爾 查看手機(jī)網(wǎng)址
掃一掃!愛普生有源晶振X1G005591030700和無(wú)源晶振振動(dòng)頻率區(qū)別掃一掃!
瀏覽:- 發(fā)布日期:2022-09-07 15:47:29【
分享到:

愛普生有源晶振X1G005591030700和無(wú)源晶振振動(dòng)頻率區(qū)別

當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率由晶片的尺寸和形狀決定相等時(shí),機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振.壓電諧振狀態(tài)的建立和維持都必須借助于振蕩器電路才能實(shí)現(xiàn).愛普生貼片晶振是一個(gè)串聯(lián)型振蕩器,晶體管T1T2構(gòu)成的兩級(jí)放大器,石英晶體XT與電容C2構(gòu)成LC電路.在這個(gè)電路中石英晶體相當(dāng)于一個(gè)電感,C2為可變電容器,調(diào)節(jié)其容量即可使電路進(jìn)入諧振狀態(tài).

愛普生OSC晶振,X1G005591030700有源XO晶振

愛普生有源晶振編碼 型號(hào) 頻率 長(zhǎng)X寬X高 輸出波 電源電壓 工作溫度 頻差 最大值
X1G005591029100 SG-8018CE 20.160000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591029200 SG-8018CE 47.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591029300 SG-8018CE 11.400000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591029400 SG-8018CE 52.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  5.2 mA
X1G005591029500 SG-8018CE 12.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591029600 SG-8018CE 66.666600 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  5.2 mA
X1G005591029700 SG-8018CE 25.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591029800 SG-8018CE 10.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591029900 SG-8018CE 50.193300 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  5.2 mA
X1G005591030000 SG-8018CE 13.330000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591030100 SG-8018CE 27.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591030200 SG-8018CE 68.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  5.2 mA
X1G005591030300 SG-8018CE 63.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  5.2 mA
X1G005591030400 SG-8018CE 3.840000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591030500 SG-8018CE 20.971520 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591030600 SG-8018CE 4.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591030700 SG-8018CE 8.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591030800 SG-8018CE 7.159090 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591030900 SG-8018CE 2.048000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591031000 SG-8018CE 25.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591031100 SG-8018CE 30.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591031200 SG-8018CE 32.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591031300 SG-8018CE 22.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591031400 SG-8018CE 4.915200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591031500 SG-8018CE 3.579546 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA
X1G005591031600 SG-8018CE 21.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  4.4 mA
X1G005591031700 SG-8018CE 3.612700 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm  3.5 mA

有源晶振電路原理及與無(wú)源晶振的聯(lián)系與區(qū)別有源晶振電路及工作原理簡(jiǎn)述有源晶振是由石英晶體組成的,石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用,是基于它的壓電效應(yīng):日產(chǎn)晶振在晶片的兩個(gè)極上加一電場(chǎng),會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng),雖然這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱,但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的.

愛普生OSC晶振,X1G005591030700有源XO晶振

QQ截圖20220906180816

推薦閱讀

    【本文標(biāo)簽】:愛普生OSC晶振 X1G005591030700有源XO晶振
    【責(zé)任編輯】:康華爾版權(quán)所有:http://www.wzjingmei.com轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處