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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

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535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

頻率:156.250MHz

尺寸:7.0x5.0mm

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,Silicon品牌晶振,型號(hào):Si535,編碼為:535BB156M250DG,頻率為:156.250MHz,電壓:3.3V,LVDS輸出差分晶振,溫度穩(wěn)定性:±20ppm,工作溫度范圍:-40℃至+85℃,小體積晶振尺寸:7.0x5.0mm封裝,六腳貼片晶振,有源晶振,石英晶振,差分晶體振蕩器。應(yīng)用程序:10/40/100G數(shù)據(jù)中心,10G以太網(wǎng),交換機(jī)/路由器,光纖通道/SAS/存儲(chǔ),企業(yè)服務(wù)器,網(wǎng)絡(luò),電信,光模塊,無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。
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535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,Silicon品牌晶振,型號(hào):Si535,編碼為:535BB156M250DG,頻率為:156.250MHz,電壓:3.3V,LVDS輸出差分晶振,溫度穩(wěn)定性:±20ppm,工作溫度范圍:-40℃至+85℃,小體積晶振尺寸:7.0x5.0mm封裝,六腳貼片晶振,有源晶振,石英晶振,差分晶體振蕩器。應(yīng)用程序:10/40/100G數(shù)據(jù)中心,10G以太網(wǎng),交換機(jī)/路由器,光纖通道/SAS/存儲(chǔ),企業(yè)服務(wù)器,網(wǎng)絡(luò),電信,光模塊,無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。
Si535 XO利用天空解決方案的先進(jìn)DSPLL®電路提供一個(gè)高速差分頻率的超低抖動(dòng)時(shí)鐘。與傳統(tǒng)的XO不同,每個(gè)輸出頻率都需要一個(gè)不同的晶體,而Si535石英晶振使用一個(gè)固定的晶體來(lái)提供一個(gè)大范圍的輸出頻率。這種基于集成電路的方法允許晶體諧振器提供特殊的頻率穩(wěn)定性和可靠性。此外,DSPLL時(shí)鐘合成提供了優(yōu)越的電源噪聲抑制,簡(jiǎn)化了在通信系統(tǒng)中通常發(fā)現(xiàn)的噪聲環(huán)境中產(chǎn)生低抖動(dòng)時(shí)鐘的任務(wù)?;赟i535 IC的XO在裝運(yùn)時(shí)被工廠編程,從而消除了與自定義振蕩器相關(guān)的長(zhǎng)時(shí)間的前置時(shí)間。

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,產(chǎn)品特點(diǎn):

可選頻率從100 MHz到312.5MHz
具有卓越抖動(dòng)性能和高功率電源噪聲抑制的第三代DSPLL®
頻率穩(wěn)定性是SAW振蕩器的3倍
可提供LVPECL和LVDS輸出有源晶振
3.3V和2.5V電源選項(xiàng),行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7mm封裝和引腳
無(wú)鉛/符合RoHS

2

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1 fO LVPECL/LVDS
156.250
MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,2 –7
–20

+7
+20
ppm
Aging fa Frequency drift over first year         ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Total Stability2 Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±7 ppm 20
Powerup Time3 tOSC TA = –40°C — +85°C         10 ms

3

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,尺寸圖

Si535,Si536尺寸

Si535,Si536

Si535,Si536

石英晶體振蕩器 品牌 型號(hào) 頻率 電壓 頻率穩(wěn)定度 包裝/封裝
535FB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
SI50122-A4-GM Silicon晶振 SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
536BB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536FB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536AB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536EB156M250DG Silicon晶振 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536BB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536AB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535EB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536EB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535BB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535BB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535FB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535AB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
SI50122-A1-GM Silicon晶振 SI50122-A1 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A2-GM Silicon晶振 SI50122-A2 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
535AB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
536FB125M000DG 貼片晶振 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
535EB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm 6-SMD, No Lead
500DLAA125M000ACF Silicon晶振 Si500D 125MHz 2.5V ±150ppm 6-SMD, No Lead
500DLAA200M000ACF Silicon晶振 Si500D 200MHz 2.5V ±150ppm 6-SMD, No Lead
590AB70M6560DG Silicon晶振 Si590 70.656MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
590FA200M000DG Silicon晶振 Si590 200MHz 2.5V ±50ppm 6-SMD, No Lead
590DA156M250DG Silicon晶振 Si590 156.25MHz 3.3V ±50ppm 6-SMD, No Lead
591BB300M000DG Silicon晶振 Si591 300MHz 3.3V ±25ppm 6-SMD, No Lead
550CD74M2500DGR Silicon晶振 Si550 74.25MHz 3.3V ±50ppm 6-SMD, No Lead
514GBB000118AAG Silicon晶振 Si514 156.25MHz 2.5V ±25ppm 6-SMD, No Lead
550AE100M000DGR Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
550AE100M000DG Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm 6-SMD, No Lead
SI50122-A3-GM Silicon晶振 SI50122-A3 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A5-GM Silicon晶振 SI50122-A5 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A6-GM Silicon晶振 SI50122-A6 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A1-GMR Silicon晶振 SI50122-A1 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A2-GMR Silicon晶振 SI50122-A2 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A3-GMR Silicon晶振 SI50122-A3 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A4-GMR Silicon晶振 SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A5-GMR Silicon晶振 SI50122-A5 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN
SI50122-A6-GMR Silicon晶振 SI50122-A6 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm 10-VFDFN

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