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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設(shè)備晶振

頻率：50MHZ

尺寸：20.7*13.1mm

QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設(shè)備晶振，尺寸為20.7*13.1mm,頻率為50MHZ，歐美進(jìn)口晶振，OSC晶振，有源晶振，有源晶體振蕩器，高品質(zhì)晶振，低抖動晶振，低相位晶振，高精度晶振，低電壓晶振，低耗能晶振，該晶體振蕩器是基于DIL封裝的混合技術(shù)。該XO執(zhí)行+/‐50至+/‐100pm的整體頻率穩(wěn)定性(相對于溫度范圍和校準(zhǔn)在25°C，負(fù)載和電源的變化)和老化+/‐5ppm每年。這參考適用于堅固耐用的無線電系統(tǒng)，例如高速列車或航空電子設(shè)備。

OscillatorCrystal 產(chǎn)品主要應(yīng)用范圍：推薦用于嵌入式應(yīng)用，擴(kuò)展溫度范圍和堅固的環(huán)境，以及航空電子，無線電系統(tǒng)等領(lǐng)域。QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設(shè)備晶振.

訂購熱線：86-0755-27838351

QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設(shè)備晶振 參數(shù)表

1. Environmental conditions
Parameter Conditions/remarks Min Nom Max Unit
Operating Temperature	Temperature option DT	‐40	25	85	°C
	Temperature option AY	‐55	25	125	°C
Switch‐on Temperature	TSo	‐55		125	°C
Non‐Operating Temperature	TNOp	‐55		125	°C
Random Vibration	Level as per MIL‐STD‐ 202, Method 214, Condition I‐ F (20 Grms)
Sine Vibration	Level as per MIL‐STD‐ 202, Method 204, Condition E (50G)
Shocks	Mechanical shock as per MIL‐STD‐ 202, Method 213, cond A (half sine with a peak acceleration of 300g for duration of 3 msec)
Acceleration	Acceleration as per MIL‐STD‐883, Method 2001, condition A (5000g, during 60s in Y1)

Parameters Conditions/remarks Min Nom Max Unit
Power supply	Option BH	3.13	3.3	3.465	V
	Option AH	4.5	5	5.5	V
Load Impedance		13	15	18	pF

Parameters Conditions/Remarks Min Typ Max Unit
Nominal Frequency				50	MHz
Steady state input current power			20		mA
Global Frequency stability (1)	Absolute frequency drift option 50			± 50	ppm
	Absolute frequency drift option 100			± 100	ppm
Initial frequency accuracy			± 15		ppm
Frequency‐temperature stability	Temperature option DT		± 20		ppm
	Temperature option AY		± 25		ppm
Frequency variation vs. supply voltage	Over Operating Temperature		± 3		ppm
Frequency variation vs. load	Over Operating Temperature		± 5		ppm
Frequency ageing	Over 15 years		± 12		ppm
Start up time				10	ms
Output waveform	AHCMOS compatible	Square
Output level VOL	Supply option BH			0.4	V
	Supply option AH			0.5	V
Output level VOH	Supply option BH	2.4			V
	Supply option AH	4.5			V
Duty cycle		40		60	%
	Option R	45		55	%
Rise time	10%‐90% of Vcc, frequency < 10 MHz		10		ns
	10%‐90% of Vcc, frequency N 10 MHz		5		ns
Fall time	90%‐ 10% of Vcc, frequency < 10 MHz		10		ns
	90%‐ 10% of Vcc, frequency ≥ 10 MHz		5		ns
Note 1 : Including initial accuracy+freq temp stability+power supply stab+ageing over 15 years

QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振蕩器,6G無線設(shè)備晶振 尺寸圖

產(chǎn)品特征：

混合產(chǎn)品與模具和電線結(jié)合到陶瓷基板上
3點晶體諧振器。

外殼類型:DIL封裝14引腳20.7x13.1x5.1mm典型

頻率范圍:1.5MHz至100MHz

溫度范圍:從‐40°C到+85°C到‐55°C到+125°C

總體頻率穩(wěn)定性與溫度范圍和校準(zhǔn)在25°C

負(fù)載和電源變化:總體+/‐50至+/‐100pm

每年老化:第一年45°C時+/‐5ppm

輸出波形:方形;三態(tài)輸出

電源電壓:+3.3V或+5V

可選:R:占空比50/50;T:錫制銷;篩選B

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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ Rakon晶振 XO振蕩器 6G無線設(shè)備晶振

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