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康華爾電子-中國(guó)供應(yīng)商

KONUAER NIHON DEMPA KOGYO CO., LTD.

客戶至上—進(jìn)口晶振品牌選擇康華爾

專營(yíng)晶振二十年

全國(guó)統(tǒng)一服務(wù)熱線：

86-0755-27838351

康華爾電子成立至今已有20多年,是國(guó)內(nèi)數(shù)一數(shù)二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環(huán)保材料生產(chǎn),具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點(diǎn).國(guó)產(chǎn)晶振就選康華爾電子,質(zhì)量好,精度高,價(jià)格優(yōu)勢(shì).

康華爾電子多年來在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中,以技術(shù)占領(lǐng)市場(chǎng),以質(zhì)量贏得客戶,是國(guó)內(nèi)口碑極高的晶振供應(yīng)商.并且憑借自身的努力代理臺(tái)灣進(jìn)口晶振多個(gè)品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺(tái)產(chǎn)晶振,均符合德國(guó)ROHS環(huán)保指令,具有高質(zhì)量,高可靠使用特性,咨詢選購(gòu)熱線0755-27838351.

日本進(jìn)口晶振在國(guó)內(nèi)口碑一流,高端智能產(chǎn)品使用晶振大都會(huì)選擇日產(chǎn)晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時(shí)代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質(zhì),低插損,耐高溫等特點(diǎn).

康華爾電子是國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的歐美進(jìn)口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權(quán)限.所代理進(jìn)口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO國(guó)際質(zhì)量管理體系認(rèn)證.市場(chǎng)常用進(jìn)口晶振封裝型號(hào)康華爾電子均有備貨,可免費(fèi)提供現(xiàn)貨樣品以及晶振技術(shù)解決方案.

32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數(shù)字,32.768K晶振素來有時(shí)鐘晶振的稱謂,只要跟數(shù)字顯示以及時(shí)間相關(guān)的產(chǎn)品都少不了一款32.768K晶振.根據(jù)不同的產(chǎn)品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價(jià)格優(yōu)質(zhì),咨詢熱線0755-27838351.

有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

康華爾電子擁有先進(jìn)的設(shè)備,一流的生產(chǎn)技術(shù),致力于為用戶提供小型,薄型,高精密石英晶振,貼片晶體,石英晶體振蕩器.多年來康華爾電子通過自身努力,獲得多個(gè)進(jìn)口貼片晶振品牌代理權(quán)限,比如,KDS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振,鴻星晶振,CTS晶振,IDT晶振等.康華爾進(jìn)口晶振代理商,所提供產(chǎn)品均符合國(guó)際ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO9001國(guó)際認(rèn)證,產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì),交期快,咨詢熱線0755-27838351.

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M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器

頻率：20.000MHz

尺寸：7.0x5.0mm

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器，美國(guó)進(jìn)口晶振，Microchip晶振，型號(hào)：M9112X1系列，編碼為：M911201NI2-20M48000，高性能MEMS振蕩器，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm，六腳貼片晶振，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，頻率穩(wěn)定性：±50ppm，頻率為：20.000MHz，石英晶體振蕩器，石英晶振，有源晶振。具有超小型，輕薄型，高性能，高品質(zhì)，耐熱及耐環(huán)境特點(diǎn)。應(yīng)用程序：計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、電信、工業(yè)控制，SATA、SAS、以太網(wǎng)、PCI Express、視頻、Wi-Fi，軍事系統(tǒng)等。

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器，產(chǎn)品特點(diǎn)：

•2.5 MHz和170 MHz之間的任何頻率，精確到小數(shù)點(diǎn)后6位
•CMOS兼容輸出石英貼片晶振
•極低相位抖動(dòng)：0.65 ps（12 kHz至20 MHz）
•溫度范圍廣：-40°C至+125°C
•標(biāo)準(zhǔn)6引線封裝：7.0×5.0mm，5.0×3.2mm、3.2×2.5mm、2.5×2.0mm
•2.5μA時(shí)的低待機(jī)電流（典型值）

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器,參數(shù)表

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

Output Frequency

f OUT

20.0

MHz

Frequency Stability

f STAB

–20

+20

ppm

Inclusive of initial tolerance at +25°C and
variations over operating temperature,
rated power supply voltage, and load.

–25

+25

–50

+50

Aging

fAGING

–5

ppm

25°C, ±1 ppm after 1st year

Operating Temperature
Range

TOP

–40

+125

°C

Automotive

–40

+105

Extended Industrial

–40

+85

Industrial

–20

+70

Commercial

Supply Voltage

V DD

2.25

2.5

2.75

2.52

2.8

3.08

2.97

3.3

3.63

Current Consumption

IDD

—

No load condition, f = 100 MHz,
V DD = 2.5V, 2.8V, or 3.3V

OE Disable Current

IOD

f = 100 MHz, OE Disabled

Standby Current

ISTD

2.5

µA

V DD = 3.3V

Duty Cycle

Rise Time

—

1.3

—

20% to 80% V DD; CL = 15 pF Standard
Drive Strength

Fall Time

t f

—

1.3

—

20% to 80% V DD; CL = 15 pF Standard
Drive Strength

Output High Voltage

V OH

80%

V DD

+10 mA

Output Low Voltage

VOL

20%

V DD

–10 mA

Input High Voltage

VIH

75%

V DD

Pin 1, OE or ST

Input Low Voltage

VIL

25%

V DD

Pin 1, OE or ST

Enable Pull-Up Resistor

Z IN

1.5

MΩ

Start-Up Time

t START

5.5

T = +25°C

M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器,尺寸圖

M911201NI2-20M48000 7050mm 20MHz Microchip高性能MEMS振蕩器

采購(gòu)：M911201NI2-20M48000,7050mm,20MHz,Microchip高性能MEMS振蕩器

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