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愛普生晶振,SG5032EEN晶振,LV-PECL貼片晶振

頻率:25MHZ~500MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.
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愛普生晶振,SG5032EEN晶振,LV-PECL貼片晶振

EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數一數二的晶振制造商,是數碼映像領域的全球領先企業(yè).全稱為愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術,創(chuàng)造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.主要產品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創(chuàng)QMEMS技術,生產出更小更高性能和全新功能的晶振產品.全球晶振產品市場占有率最大.可編程晶振能適應各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應用于各類計量儀表,醫(yī)療電子設備,汽車電子和各類高端消費類電子產品.
  2010年晶振全球廠家排名中, 在占據首位. 愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已. 愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界. 僅此在音叉振子和振蕩器還達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領 NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.

愛普生晶振,SG5032EEN晶振,LV-PECL貼片晶振

愛普生拓優(yōu)科夢把半導體(IC)稱之為“產業(yè)之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業(yè)之鹽”將一步致力于小型,高穩(wěn)定,高精度晶體元器件的開發(fā),為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景.愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.
那我們說說愛普生KHZ的產品工藝吧,愛普生KHZ產品分有圓柱DIP和貼片SMD.KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的. 32.768K晶振是一款數字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器,也就是說心如果停止了跳動,那么電路板也將無法行穩(wěn)定的工作了.32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm.精工的VT-200-F,西鐵城的CFS206,KDS的DT-26同體積同參數.因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的.只是有客戶比較鐘愛某個品牌,或者是上級有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的優(yōu)點有
1,超小型、薄型、質地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡單.
2,具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性
3,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性.
愛普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm.只是2*6體積稍微小一點,比較受廣發(fā)消者的愛戴.同此相比,當然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mm的C-004R圓柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圓柱晶振.價格相對來說都是比較貴的.因為體積小就意味著占用空間小.
KHZ貼片系列,愛普生在這一系列上做的可是相當的卓越,將貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm.在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm.愛普生的斷突破使其在市場上占有絕對的優(yōu)勢.只是這款貼片晶振價格是相當的昂貴.因為里面晶片磨的越小,就代表工藝越復雜.該貼片晶振具有的優(yōu)點
1,高精度小型表面貼片型石英晶體諧振器
2,輕薄型不小型化為高端產品帶來了更大的方便
3,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性
4,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性.

SG5032EEN

項目 符號 SG5032EEN
(Clipped sine wave)
條件
VC-TCXO TCXO
輸出頻率范圍 f0 25 MHZ~500 MHZ  
10, 12.8, 19.2, 20, 24.576,
25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz
標準頻率
電源電壓 VCC C: 3.3 V ± 5 % (標準)
(電源電壓范圍 : 2.5 V ~ 3.63 V)
 
儲存溫度范圍 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作溫度范圍 T_use G: -40 °C ~ +85°C  
a) 頻率初期公差 f_tol ± 1.0 × 10-6Max. 在回流焊后, +25 °C
b) 頻率溫度特征 fo-TC A: ± 0.1 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
H: ± 0.25 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
B: ± 0.28 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
頻率 (fmax + fmin) / 2 基準
c) 頻率負載變動特征 fo-Load ± 0.1 × 10-6 Max. Load ±10 %
d) 頻率電源電壓特征 fo-VCC ± 0.1 × 10-6 Max. Vcc ± 5 %
e) 頻率老化 f_age ± 0.5 × 10-6 Max +25°C , 第一年
± 3.0 × 10-6 Max. +25°C , 20年
Holdover stability
(溫度固定)
- ± 0.01 × 10-6 Max. (+25 °C , 24時間) 工作開始10日后基準
± 0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24時間) 工作開始48時間后基準
Wander generation
( MTIE, TDEV )
- - 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
Free-run accuracy - ± 4.6 × 10-6 Max. 這包括項目a), b), c), d), e)
功耗 ICC 5.0 mA Max.  
輸入電阻 Rin 100 kΩ Min. - VC- GND (DC)
頻率控制范圍 f_cont ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 - D : VC= 1.5 V ± 1.0 V
 at VCC = 3.3V
E : VC= 1.65 V ± 1.0 V
 at VCC = 3.3V
輸出電壓極
VPP 0.8 Min. 峰 - 峰值
振蕩啟動時間 t_str 5.0 ms Max. 在90 % VCC 時,所需時間為0 秒
輸出負載 Load 10 kΩ / 10 pF  

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