86-0755-27838351
頻率:25MHZ~500MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數(shù)一數(shù)二的晶振制造商,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).全稱為愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.主要產(chǎn)品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創(chuàng)QMEMS技術(shù),生產(chǎn)出更小更高性能和全新功能的晶振產(chǎn)品.全球晶振產(chǎn)品市場占有率最大.可編程晶振能適應(yīng)各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應(yīng)用于各類計量儀表,醫(yī)療電子設(shè)備,汽車電子和各類高端消費類電子產(chǎn)品.
2010年晶振全球廠家排名中, 在占據(jù)首位. 愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已. 愛普生晶振以32.768K晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界. 僅此在音叉振子和振蕩器還達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng) NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無完人,史前無例,實現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.
愛普生晶振,SG5032VEN晶振,晶體振蕩器
全套日本愛普生晶振生產(chǎn)設(shè)備,全自動封膠點焊,網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)自動分頻檢測設(shè)備,SMD全套現(xiàn)代化生產(chǎn)線.貼片晶振,全套材料采用日本進口,日本電波NDK晶振原廠供應(yīng)晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外殼基座.主要生產(chǎn):石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,32.768K鐘表晶振,陶瓷霧化片,晶振,諧振器,等產(chǎn)品.并且代理日本進口晶振,愛普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一線品牌.與我國臺灣,TXC晶振,鴻星晶振,希華晶振,加高晶振等品牌成為戰(zhàn)略合作伙伴.
在2018年與多個歐美晶振品牌簽訂代銷代理同盟合作關(guān)系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多個有源晶振進口品牌合作關(guān)系,主要以車規(guī)晶振,工業(yè)級晶振,有源差分晶振,差分晶體振蕩器,進口差分晶振,軍工晶體為主打.優(yōu)質(zhì)的品質(zhì):高頻,高穩(wěn),高溫,高質(zhì)量,小尺寸,低相噪,低抖動,低能耗,低損耗,低功率,底電源電壓等優(yōu)勢的進口差分晶振.是國內(nèi)最早采用SMD全自動化生產(chǎn)企業(yè),并且2005年在贛州地區(qū)信豐工業(yè)園自購?fù)恋嘏d建現(xiàn)代化生產(chǎn)廠房,實至名歸晶振廠家高新企業(yè),產(chǎn)品60%用于出口.主要以數(shù)碼產(chǎn)品,智能穿戴,家居智能化,汽車電子,醫(yī)療設(shè)備,手機導(dǎo)航等產(chǎn)品為主要客戶源.康華爾電子-以品質(zhì)求生存,完善的工藝,先進的設(shè)備,服務(wù)市場,服務(wù)客戶.
項目 |
符號 |
SG5032VEN.規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
25MHZ~500MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.5V.Typ. 3.3V.Typ |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
/ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
/ |
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
/ |
VOL |
0.4 V Max. |
/ |
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
/ |
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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