86-0755-27838351
頻率:25MHZ~500MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數(shù)一數(shù)二的晶振制造商,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).全稱為愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.主要產(chǎn)品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創(chuàng)QMEMS技術(shù),生產(chǎn)出更小更高性能和全新功能的晶振產(chǎn)品.全球晶振產(chǎn)品市場占有率最大.可編程晶振能適應各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應用于各類計量儀表,醫(yī)療電子設(shè)備,汽車電子和各類高端消費類電子產(chǎn)品.
2010年晶振全球廠家排名中, 在占據(jù)首位. 愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已. 愛普生晶振以32.768K晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產(chǎn)品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界. 僅此在音叉振子和振蕩器還達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng) NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達到人無完人,史前無例,實現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.
愛普生晶振,SG2520VGN晶振,晶體振蕩器
愛普生KHZ產(chǎn)品分有貼片SMD和圓柱DIP。
KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的。32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器,也就是說心如果停止了跳動,那么電路板也將無法進行穩(wěn)定的工作了。32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm。與日本KDS的DT-26同體積同參數(shù)。
因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的。只是有客戶比較鐘愛某個品牌,或者是上級有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的優(yōu)點有
1,超小型、薄型、質(zhì)地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡單
2,具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性
3,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。
愛普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm。只是2*6體積稍微小一點,比較受廣發(fā)消費者的愛戴。同此相比,當然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mm的C-004R圓柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圓柱晶振。價格相對來說都是比較貴的。因為體積小就意味著占用空間小。
KHZ貼片系列,愛普生在這一系列上做的可是相當?shù)淖吭?,?/span>貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm。在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm。愛普生的不斷突破使其在市場上占有絕對的優(yōu)勢。只是這款貼片晶振價格是相當?shù)陌嘿F。因為里面晶片磨的越小,就代表工藝越復雜。
該貼片晶振具有的優(yōu)點
2, 輕薄型與小型化為高端產(chǎn)品帶來了更大的方便
3,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性
4,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。
項目 |
符號 |
SG2520VGN.規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
25MHZ~500MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.5 V Typ./ 3.3 V Typ |
請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
/ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
/ |
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
/ |
VOL |
0.4 V Max. |
/ |
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
/ |
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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手機:13823300879
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