86-0755-27838351
頻率:16~56MHZ
尺寸:2.0×1.6×0.55mm
2016晶振具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
希華晶振科技在十年的時(shí)間里希華晶振科技刻苦專研,開發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD貼片晶振,有源貼片晶振領(lǐng)域,并且成功在1998年回到祖國(guó)的懷抱,到了沒了的中國(guó)廣東省東莞市投資建廠, 主要生產(chǎn)SMD貼片晶振系列,剛開始以有源5070mm石英晶體振蕩器為主。后在慢慢的開始量產(chǎn)常規(guī)石英晶體諧振器,后以小尺寸3225mm,2520mm尺寸為主。
希華晶振,貼片晶振,SX-2016晶振,2016mm晶振,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
希華晶振規(guī)格 |
單位 |
SX-2016貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16.00MHZ~56.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
希華晶振,貼片晶振,SX-2016晶振,2016mm晶振PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存超薄型晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
EPSON晶振FA2016AN,X1E0003510017音叉晶體,日本進(jìn)口愛普生晶振,2016mm無源晶體,石英晶體諧振器,EPSON晶振,FA2016AN晶振,貼片晶振,型號(hào)FA2016AN,編碼X1E0003510017是一款金屬外觀的四腳貼片型的SMD晶振,產(chǎn)品尺寸為2016mm,頻率25MHZ,負(fù)載電容8pF,精度±30ppm.工作溫度-20 to+75°C,采用優(yōu)質(zhì)的原料結(jié)合高超的生產(chǎn)技術(shù)打磨而成的優(yōu)良產(chǎn)品,具備性能優(yōu)越,成本低廉的特點(diǎn),非常符合當(dāng)下市場(chǎng)需求,能夠應(yīng)對(duì)電子數(shù)碼,智能家居,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等領(lǐng)域.
X1E0003510022晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.EPSON晶振FA2016AN,X1E0003510017音叉晶體
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