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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進口晶振品牌代理商

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晶振帝國
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ILSI晶振,無源石英晶振,IL3Y晶體

頻率:32.768KHZ

尺寸:4.1*1.5*0.9mm

貼片石英晶振最適合用于智能電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體諧振器,在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合ROHS標準.
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ILSI晶振,無源石英晶振,IL3Y晶體.32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

ILSI America成立于1987年,其使命是成為世界級的ILSI供應商.頻率控制產(chǎn)品.通過有機增長和戰(zhàn)略收購,美國ILSI無源晶振現(xiàn)在是廣泛設計,制造和供應的全球領導者,涵蓋四個品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴格標準.通過以下產(chǎn)品在許多垂直市場的客戶:石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,濾波器和諧振器.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的石英貼片晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

2

ILSI晶振

單位

IL3Y晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標準溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±20ppm

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.wzjingmei.com/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

6.0pF

12.5pF

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

IL3Y 4115

4

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致石英晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.4.1x1.5晶振的軟焊溫度條件被設計成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.有關SMD產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.

撞擊

雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

裝載

SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響.在切斷工序等會導致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、聲表面濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化.請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.
負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

IL3Y

5

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