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Transko晶振,高性能石英晶體,CS41無源晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:4.1*1.5*0.9mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.

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Transko晶振,高性能石英晶體,CS41無源晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英4.1x1.5晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號.點(diǎn)膠時應(yīng)注意膠點(diǎn)的大小和位置.不宜過大或過小.

Transko是一家位于加利福尼亞州阿納海姆的通過ISO 9001:2008認(rèn)證的變頻控制設(shè)備解決方案供應(yīng)商.通過質(zhì)量和經(jīng)驗,我們得到了援助.1997年經(jīng)歷了非常大的增長,1998年搬遷到加利福尼亞州阿納海姆的一個更大的設(shè)施,1998年介紹高質(zhì)量石英晶振產(chǎn)品的表面貼裝線,1999年成為合并同年阿納海姆工廠擴(kuò)建以適應(yīng)增長.2001年獲得了新的底盤和新的最后一臺電鍍機(jī)同年獲得ISO 9001質(zhì)量認(rèn)證.

2

Transko晶振

單位

CS41晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55℃~+125

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±10ppm

±20ppm

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7.0pF

9.0pF

12.5pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

CS41 4115

4

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

PCB設(shè)計指導(dǎo)

(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.

(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝.

(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.

(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)

輻射

晶振產(chǎn)品暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致32.768K晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

CS41

5

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