Transko晶振,高性能石英晶體,CS41無源晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英4.1x1.5晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào).點(diǎn)膠時(shí)應(yīng)注意膠點(diǎn)的大小和位置.不宜過大或過小.
Transko是一家位于加利福尼亞州阿納海姆的通過ISO 9001:2008認(rèn)證的變頻控制設(shè)備解決方案供應(yīng)商.通過質(zhì)量和經(jīng)驗(yàn),我們得到了援助.1997年經(jīng)歷了非常大的增長(zhǎng),1998年搬遷到加利福尼亞州阿納海姆的一個(gè)更大的設(shè)施,1998年介紹高質(zhì)量石英晶振產(chǎn)品的表面貼裝線,1999年成為合并同年阿納海姆工廠擴(kuò)建以適應(yīng)增長(zhǎng).2001年獲得了新的底盤和新的最后一臺(tái)電鍍機(jī)同年獲得ISO 9001質(zhì)量認(rèn)證.
Transko晶振 |
單位 |
CS41晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10ppm ±20ppm |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com/
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7.0pF 9.0pF 12.5pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.
(2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
(4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)
輻射
晶振產(chǎn)品暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致32.768K晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.