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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

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KDS晶振,DLO555MBA晶振,進(jìn)口插件晶振

頻率:0.75MHZ~54MHZ

尺寸:5.0*5.0mm

插件石英環(huán)保晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求
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金屬扁殼封裝晶振,49S大體型DIP晶振,AT-49晶振KDS晶振,DLO555MBA晶振,進(jìn)口插件晶振

KDS石英晶振特點(diǎn):適合應(yīng)用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振,日產(chǎn)石英晶振

KDS晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)日產(chǎn)晶振的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響

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如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英2520晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.

機(jī)械處理

當(dāng)晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗高精密貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.

日產(chǎn)著名32.768k晶振,時(shí)間計(jì)時(shí)模塊諧振器,SM-14J晶振


DLO555MBA_dime_jp

日產(chǎn)著名32.768k晶振,時(shí)間計(jì)時(shí)模塊諧振器,SM-14J晶振

項(xiàng)目 記號(hào) 規(guī)格 単位 條件
min. typ. max.
出力周波數(shù)範(fàn)囲 f0 0.75 - 54 MHz L_CMOS : 15pF
0.75 - 48 L_CMOS : 30pF
周波數(shù)許容偏差 - -100 - +100 ×10-6 T_opr=-10~85℃ VCC=1.6~5.5V
-50 +50
経時(shí)変化 - - - ±5 ×10-6/年  
消費(fèi)電流 ICC - - 8 mA No load
波形シンメトリ SYM 45 - 55 % 50% VCC level
0レベル電圧 VOL - - VCC×0.1 V IOL=4mA
1レベル電圧 VOH VCC×0.9 - - V IOH=-4mA
0レベル時(shí)間 TL1 11 - - ns 20%VCC以下の時(shí)間 (f0≦32MHz)
1レベル時(shí)間 TH1 11 - - ns 80%VCC以上の時(shí)間 (f0≦32MHz)
立上り時(shí)間
立下り時(shí)間
tr,tf - 1.8 3.8 ns L_CMOS : 15pF 20~80% VCC level
- 3.8 7.5 L_CMOS : 30pF 20~80% VCC level
発振起動(dòng)時(shí)間 T_start - - 1 ms VCCが既定値の90%に達(dá)してからの時(shí)間
位相ノイズ - - -145 - dBc/Hz Offset 1kHz
- -158 - Offset 100kHz
ピリオド ジッタ(1) tRMS - 2.4 - ps σ
tp-p - 20 - Peak to peak
トータル ジッタ(1) tTL - 34 - tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)
位相ジッタ(3) tpj - - 1 10MHz≦f0<40MHz  f0 offset12kHz~5MHz
40MHz≦f0≦60MHz  f0 offset12kHz~20MHz
內(nèi)蔵バイパスコンデンサ容量 Cbp - 0.1 - μF VCC-GND端子間の容量
日產(chǎn)著名32.768k晶振,時(shí)間計(jì)時(shí)模塊諧振器,SM-14J晶振

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