86-0755-27838351
頻率:0.75MHZ~54MHZ
尺寸:5.0*5.0mm
KDS石英晶振特點(diǎn):適合應(yīng)用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振,日產(chǎn)石英晶振
KDS晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)日產(chǎn)晶振的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià):評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響
KDS晶振,DLO555MBA晶振,進(jìn)口插件晶振
如何正確的使用有源晶振
電處理:
將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英2520晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.
機(jī)械處理
當(dāng)晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗高精密貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.
項(xiàng)目 | 記號(hào) | 規(guī)格 | 単位 | 條件 | ||
---|---|---|---|---|---|---|
min. | typ. | max. | ||||
出力周波數(shù)範(fàn)囲 | f0 | 0.75 | - | 54 | MHz | L_CMOS : 15pF |
0.75 | - | 48 | L_CMOS : 30pF | |||
周波數(shù)許容偏差 | - | -100 | - | +100 | ×10-6 | T_opr=-10~85℃ VCC=1.6~5.5V |
-50 | +50 | |||||
経時(shí)変化 | - | - | - | ±5 | ×10-6/年 | |
消費(fèi)電流 | ICC | - | - | 8 | mA | No load |
波形シンメトリ | SYM | 45 | - | 55 | % | 50% VCC level |
0レベル電圧 | VOL | - | - | VCC×0.1 | V | IOL=4mA |
1レベル電圧 | VOH | VCC×0.9 | - | - | V | IOH=-4mA |
0レベル時(shí)間 | TL1 | 11 | - | - | ns | 20%VCC以下の時(shí)間 (f0≦32MHz) |
1レベル時(shí)間 | TH1 | 11 | - | - | ns | 80%VCC以上の時(shí)間 (f0≦32MHz) |
立上り時(shí)間 立下り時(shí)間 |
tr,tf | - | 1.8 | 3.8 | ns | L_CMOS : 15pF 20~80% VCC level |
- | 3.8 | 7.5 | L_CMOS : 30pF 20~80% VCC level | |||
発振起動(dòng)時(shí)間 | T_start | - | - | 1 | ms | VCCが既定値の90%に達(dá)してからの時(shí)間 |
位相ノイズ | - | - | -145 | - | dBc/Hz | Offset 1kHz |
- | -158 | - | Offset 100kHz | |||
ピリオド ジッタ(1) | tRMS | - | 2.4 | - | ps | σ |
tp-p | - | 20 | - | Peak to peak | ||
トータル ジッタ(1) | tTL | - | 34 | - | tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2) | |
位相ジッタ(3) | tpj | - | - | 1 | 10MHz≦f0<40MHz f0 offset12kHz~5MHz | |
40MHz≦f0≦60MHz f0 offset12kHz~20MHz | ||||||
內(nèi)蔵バイパスコンデンサ容量 | Cbp | - | 0.1 | - | μF | VCC-GND端子間の容量 |
電話:+86-0755-27838351
手機(jī):13823300879
QQ:632862232
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