86-0755-27838351
頻率:7-54MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
KDS晶振,貼片晶振,DSX530GK晶振,1ZCG14318CK1A晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為5032無(wú)源晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
7-54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
KDS貼片晶振產(chǎn)品列表:
石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍
這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。5032mmSMD晶振當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。
5-2。此外,放大電路,第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。
系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
6-1。請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善。
7-1。請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問(wèn)題是根據(jù)頻率什么。
7-2。如果是從電源的交流信號(hào),汽車級(jí)晶振請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請(qǐng)改為浮動(dòng),如果它不是。
7-3。如果信號(hào)具有高頻率,請(qǐng)使用以下方法:使用貼片晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。
增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。
7-4。請(qǐng)檢查周圍電路和PCB布局,如果上面的方法都沒(méi)有能夠解決您的問(wèn)題。如果兩者都正常,那么請(qǐng)你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計(jì)的不明信號(hào)的反應(yīng)。改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問(wèn)題,而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來(lái)的芯片組設(shè)計(jì)問(wèn)題并解決它。
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