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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

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愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振

頻率:13~52MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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QQ咨詢 點(diǎn)擊這里給我發(fā)消息 愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振

愛普生株式會(huì)社愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)TCXO晶振,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振,小型SMD有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

項(xiàng)目

符號(hào)

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

13~52MHZ

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電源電壓

VCC

1.7 V to 3.3 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振型號(hào)列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
F.Tol@25°C
Rearranges Rearranges Rearranges
Ope Temperature
Freq/Temp I [Max]
Rearranges Rearranges
Freq. Control
25°C Aging
TG-5035CG 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
TG-5035CG 16.368000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
TG-5035CG 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-2.20 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
TG-5035CG 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -10 to +55 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-6ppm
TG-5035CG 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
TG-5035CG 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/- 5 to +/- 12 Vc = 0.9V +/- 0.6V +/-1ppm
TG-5035CG 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
TG-5035CG 33.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
TG-5035CG 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.2 mA +/-1ppm
TG-5035CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm

愛普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振編碼列表:

X1G0038510014 TG-5035CG 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0038510016 TG-5035CG 16.368000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0038510032 TG-5035CG 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-2.20 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0038510039 TG-5035CG 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -10 to +55 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-6ppm
X1G0038510042 TG-5035CG 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 2.0 mA +/-1ppm
X1G0038510043 TG-5035CG 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.5 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.8 mA +/- 5 to +/- 12 Vc = 0.9V +/- 0.6V +/-1ppm
X1G0038510049 TG-5035CG 16.369000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0038510051 TG-5035CG 33.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -30 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm
X1G0038510077 TG-5035CG 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.2 mA +/-1ppm
X1G003851A058 TG-5035CG 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.50 ppm ≤ 1.5 mA +/-1ppm

TG-5035CJ 2016

衛(wèi)星導(dǎo)航晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)谝?guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。愛普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指日產(chǎn)晶體振蕩器產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 

4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用薄型高精度SMD晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊盤(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
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智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
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