精工愛(ài)普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛(ài)普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛(ài)普生水晶宣布將高端的OSC晶振生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛(ài)普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛(ài)普生料號(hào)等.

愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

愛(ài)普生有源進(jìn)口日產(chǎn)晶振型號(hào)列表:

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-770SDD	155.520000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	122.880000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SDD	150.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-771PCD	156.253906 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-771PCD	156.258600 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-10 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-771PCD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-771PCD	161.132800 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %

7050mm六腳有源晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?/span>規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 愛(ài)普生晶振,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種有源石英晶體振蕩器,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 

4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致無(wú)線網(wǎng)絡(luò)高速晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。