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愛(ài)普生晶振,TG5032CGN晶振,高精度晶振

頻率:10MHZ~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
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愛(ài)普生晶振,TG5032CGN晶振,高精度晶振

愛(ài)普生株式會(huì)社EPSON晶振,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON—YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)。1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

日本精工愛(ài)普生晶振接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】  愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生晶振(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).

愛(ài)普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來(lái)驅(qū)動(dòng)前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開(kāi)始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識(shí),然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振等出售給我們的客戶.

愛(ài)普生晶振公司加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問(wèn)題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來(lái)創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會(huì).

愛(ài)普生晶振,TG5032CGN晶振,高精度晶振

愛(ài)普生KHZ產(chǎn)品分有圓柱DIP和貼片SMD。

KHZ中愛(ài)普生是以32.768KHZ最為出名的。32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器,也就是說(shuō)心如果停止了跳動(dòng),那么電路板也將無(wú)法進(jìn)行穩(wěn)定的工作了。32.768K中愛(ài)普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm。與日本KDSDT-26同體積同參數(shù)。

因此說(shuō)道的四款型號(hào)晶振都是可以相互替換使用的。只是有客戶比較鐘愛(ài)某個(gè)品牌,或者是上級(jí)有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的優(yōu)點(diǎn)有

1,超小型、薄型、質(zhì)地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡(jiǎn)單

2,具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性

3,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

愛(ài)普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm。只是2*6體積稍微小一點(diǎn),比較受廣發(fā)消費(fèi)者的愛(ài)戴。同此相比,當(dāng)然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mmC-004R圓柱晶振,4.5*1.2mmC-005R圓柱晶振。價(jià)格相對(duì)來(lái)說(shuō)都是比較貴的。因?yàn)轶w積小就意味著占用空間小。

KHZ貼片系列,愛(ài)普生在這一系列上做的可是相當(dāng)?shù)淖吭?,?/span>貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm。在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm。愛(ài)普生的不斷突破使其在市場(chǎng)上占有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。只是這款貼片晶振價(jià)格是相當(dāng)?shù)陌嘿F。因?yàn)槔锩婢サ脑叫?,就代表工藝越?fù)雜。

該貼片晶振具有的優(yōu)點(diǎn)

1,高精度小型表面貼片型晶體諧振器

2, 輕薄型與小型化為高端產(chǎn)品帶來(lái)了更大的方便

3,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性

4,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。


TG5032CGN SGN

項(xiàng)目 符號(hào) TG5032CGN
(CMOS)
條件
VC-TCXO TCXO
輸出頻率范圍 f0 10 MHz ~ 40 MHz  
10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26,
30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率
電源電壓 VCC C: 3.3 V ± 5 % (標(biāo)準(zhǔn))
(電源電壓范圍 : 2.375 V ~ 3.63 V)
 
儲(chǔ)存溫度范圍 T_stg -40°C ~ +90°C 裸存
工作溫度范圍 T_use G: -40 °C ~ +85°C  
a) 頻率初期公差 f_tol ± 1.0 × 10-6Max. 在回流焊后, +25 °C
b) 頻率溫度特征 fo-TC A: ± 0.1 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
H: ± 0.25 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
B: ± 0.28 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
頻率 (fmax + fmin) / 2 基準(zhǔn)
c) 頻率負(fù)載變動(dòng)特征 fo-Load ± 0.1 × 10-6 Max. Load ± 10 %
d) 頻率電源電壓特征 fo-VCC ± 0.1 × 10-6 Max. Vcc ± 5 %
e) 頻率老化 f_age ± 0.5 × 10-6 Max +25°C , 第一年
± 3.0 × 10-6 Max. +25°C , 20年
Holdover stability
(溫度固定)
- ± 0.01 × 10-6 Max. (+25 °C , 24時(shí)間) 工作開(kāi)始10日后基準(zhǔn)
± 0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24時(shí)間) 工作開(kāi)始48時(shí)間后基準(zhǔn)
Wander generation
( MTIE, TDEV )
- - 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
Free-run accuracy - ± 4.6 × 10-6 Max. 這包括項(xiàng)目a), b) ,c), d), e)
功耗 ICC 5.0 mA Max. 10 MHz ≦ f≦ 26MHz
6.0 mA Max. 26 MHz < f≦ 40 MHz
輸入電阻 Rin 100 kΩ Min. - VC- GND (DC)
頻率控制范圍 f_cont ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 - J,D : VC= 1.5 V ± 1.0 V
 at VCC = 3.3V
K,E : VC= 1.65 V ± 1.0 V
 at VCC = 3.3V
頻率變化極 - 正極 -  
占空比 SYM 45 % ~ 55 % GND極 (DC 切割)
輸出電壓 VOH 90 % VCC Min.  
VOL 10 % VCC Max.  
上升/下降 時(shí)間 tr/tf 8.0 ns Max. 10 % VCC ~ 90 % VCC 極
輸出負(fù)載 : 15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 t_str 5.0 ms Max. (Non-Filter: 標(biāo)準(zhǔn))
2.0 sec. Max. (Filter: 選擇)
在90 % VCC 時(shí),所需時(shí)間為0 秒
輸出負(fù)載 Load 15 pF  
輸入電壓 VIH 70 % VCC Min. OE 終端(啟用電壓)
VIH 30 % VCC Max. OE 終端(禁用電壓)

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KDS晶振,DSV532SV晶振,小型SMD晶振
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