86-0755-27838351
頻率:3-60MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
EPSON晶振,貼片晶振,SG-210SEBA晶振,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對(duì)應(yīng)IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)回流焊)無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
2-60MHZ |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法:
調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然。
可以采用不同負(fù)載電容(CL)的晶振試用。
試用貼片晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。
請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂?b>示波器,正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。
頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。
下面的曲線表示晶體的電阻的特征:
石英晶振具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。
該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。
愛(ài)普生晶振,貼片晶振,SG-210SEBA晶振
HE-MCC-120-36.000F-18-E,7050mm,36MHZ,HEC無(wú)源晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,四腳貼片晶振,7050晶體諧振器,石英貼片晶振,無(wú)源諧振器,SMD晶振,石英晶體,尺寸7.0×5.0mm,頻率36MHZ,負(fù)載18pF,工作溫度-40~+85°C,高穩(wěn)定性晶振,高頻晶振,低損耗晶振,低功耗晶振,高質(zhì)量晶振,掌上型PDA晶振,以太網(wǎng)卡晶振,硬盤(pán)專(zhuān)用晶振,驅(qū)動(dòng)器控制器晶振,測(cè)試設(shè)備晶振,智能設(shè)備晶振,
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