86-0755-27838351
頻率:6~125MHZ
尺寸:6.0×3.5mm
因亞陶晶振6035mm晶振產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
臺灣百利通亞陶晶振的技術為高帶寬、高速串行連接協(xié)議所引起的挑戰(zhàn)提供了系統(tǒng)設計解決方案.Pericom百利通亞陶晶振公司于1990年由許志明和許志恒(Alex Hui 和 John Hui)共同在美國加州圣何西市創(chuàng)立,公司由此蓬勃發(fā)展成為一家在全球擁有超過900名員工的公司,并在北美(我們的總部所在地)和亞洲建立了設計中心;亞陶晶振的恒溫控制晶體振蕩器技術和銷售支持辦事處遍布全球.
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FX晶振,FX0800015晶振,小體積貼片晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O計不正確、使得振動強烈耦合導致壓電石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。
百利通亞陶晶振規(guī)格 |
單位 |
FX貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom6 |
6MHZ~125.0MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
以下是石英晶振電路設計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設置。
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。
一個穩(wěn)定的石英晶體振蕩器電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點到石英晶體振蕩器的停止點調(diào)整R的值。
(3)振蕩期間測量R的值。
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FX晶振,FX0800015晶振
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