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百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2400011晶振

頻率:1~60MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2400011晶振,石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計:石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單,第4項的設(shè)計很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求。

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,臺產(chǎn)晶振產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

Diodes 的產(chǎn)品除了5032晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補晶振之后還包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數(shù)組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應(yīng)與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅(qū)動器)、AC-DC 轉(zhuǎn)換器與控制器、DC-DC 開關(guān)與線性穩(wěn)壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)、電壓監(jiān)控器及馬達(dá)控制器)。

項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

1~60MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.08~1.32V

聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

百利通亞陶臺產(chǎn)進口OCS晶振型號列表:

Series型號 Frequency 頻率 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度 Operating Temperature     工作溫度 Package / Case包裝/封裝 Size / Dimension 尺寸 Height - Seated (Max)高度
SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.061" (1.55mm)
SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.061" (1.55mm)
SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.061" (1.55mm)
百利通亞陶臺產(chǎn)進口OCS晶振編碼列表:

FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.061" (1.55mm)
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.061" (1.55mm)
FN2500149 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FN 25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) 0.061" (1.55mm)

FJ2400011 2.5_2.0 OSC

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種2520晶體振蕩器產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。百利通亞陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2400011晶振

所有產(chǎn)品的共同點1:抗沖擊:抗沖擊是指產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是低相位石英晶體振蕩器制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

4:粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用計算機晶體振蕩器。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
愛普生晶振,有源晶振,SG-8101CG晶振,X1G0051810011晶振
愛普生晶振,有源晶振,SG-8101CG晶振,X1G0051810011晶振
有源晶振,是只石英晶振本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
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