86-0755-27838351
頻率:8~80MHZ
尺寸:5.0×3.2×0.8mm
泰藝晶振電子立基臺灣,在美國與中國大陸均設(shè)有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),營業(yè)與銷售據(jù)點(diǎn)包括臺灣臺北、美國、歐洲以及中國大陸等地,客戶使用石英晶體振蕩器,有源晶振,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振、壓控振蕩器,貼片晶振遍及汽車產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)性電子、信息產(chǎn)業(yè)、通信產(chǎn)業(yè)與通信基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。泰藝晶振電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利;未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英晶振頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn)。
TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振,低頻晶振可從7.98MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
晶振的真空封裝技術(shù):是指壓電石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XV貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8MHZ~80.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
以下是石英晶振電路設(shè)計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。
一個穩(wěn)定的石英晶體振蕩器電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。
(3)振蕩期間測量R的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。TAITIEN晶振,貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振
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