86-0755-27838351
頻率:220KHZ~100MHZ
尺寸:6.5*5.0mm
Statek晶振,HFXO晶振,HFXO3DSTSM3-20.0M.30/50/I晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除高精密貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性
Statek晶振公司是設計和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導者,它宣布了DFXO石英晶體振蕩器的發(fā)布.微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出.這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點是低相位噪聲和低相位抖動,達到155.52 MHz的基本晶體頻率.適用于Xilinx FPGA參考時鐘應用.提出了擴展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C).內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器.
Statek晶振,HFXO晶振,HFXO3DSTSM3-20.0M.30/50/I晶振
抗沖擊
抗沖擊是指耐高溫晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
機械振動的影響
當貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管32.768K晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
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