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Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振

頻率:156.25MHZ

尺寸:7.00mmx5.00mm

Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振,尺寸7.00mmx5.00mm,頻率156.25MHZ,支持輸出LVPECL,XO時鐘振蕩器(標(biāo)準(zhǔn)),電壓 2.5V,腳位6-SMD,六腳貼片晶振,有源晶振,有源貼片晶振,LVPECL輸出晶振,差分晶振LV-PECL,貼片差分晶振,差分晶體振蕩器,低電壓差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低抖動差分晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用差分晶振,高清視頻差分晶振,測試測量專用差分晶振,具有低抖動低電壓的特點(diǎn),產(chǎn)品十分適合用于SONET/SDH,網(wǎng)絡(luò) 標(biāo)清/高清視頻,測試和測量,時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù),F(xiàn)PGA/ASIC時鐘生成等領(lǐng)域。

基于Si530/531 IC的XO有源晶體振蕩器可在工廠進(jìn)行配置對于包括頻率、電源電壓、電源電壓等的各種各樣的用戶規(guī)范,輸出格式和溫度穩(wěn)定性。具體配置為出廠配置在裝運(yùn)時進(jìn)行編程,從而消除長交付周期與定制振蕩器相關(guān)。Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振.




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Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振,尺寸7.00mmx5.00mm,頻率156.25MHZ,支持輸出LVPECL,XO時鐘振蕩器(標(biāo)準(zhǔn)),電壓 2.5V,腳位6-SMD,六腳貼片晶振,有源晶振,有源貼片晶振,LVPECL輸出晶振,差分晶振LV-PECL,貼片差分晶振,差分晶體振蕩器,低電壓差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低抖動差分晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用差分晶振,高清視頻差分晶振,測試測量專用差分晶振,具有低抖動低電壓的特點(diǎn),產(chǎn)品十分適合用于SONET/SDH,網(wǎng)絡(luò) 標(biāo)清/高清視頻,測試和測量,時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù),F(xiàn)PGA/ASIC時鐘生成等領(lǐng)域。

基于Si530/531 IC的XO有源晶體振蕩器可在工廠進(jìn)行配置對于包括頻率、電源電壓、電源電壓等的各種各樣的用戶規(guī)范,輸出格式和溫度穩(wěn)定性。具體配置為出廠配置在裝運(yùn)時進(jìn)行編程,從而消除長交付周期與定制振蕩器相關(guān)。Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振.

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Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振      參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS



111
99
90
81
121
108
98
88
mA
Tristate mode 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD V
VIL 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 85 ºC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1,2 fO LVPECL/LVDS/CML 10 945 MHz
CMOS 10 160 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,3 –7
–20
–50
  
  
+7
+20
+50
ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Total Stability Temp stability = ±7 ppm ±20 ppm
Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±50 ppm         ±61.5 ppm
Powerup Time4 tOSC         10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO mid-level V DD – 1.42 V DD – 1.25 V
VOD swing (diff) 1.1 1.9 VPP
VSE swing (single-ended) 0.55 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
CML Output Option2 VO 2.5/3.3 V option mid-level     V DD – 1.30     V
1.8 V option mid-level     V DD – 0.36     V
VOD 2.5/3.3 V option swing (diff) 1.10 1.50 1.90 VPP
1.8 V option swing (diff) 0.35 0.425 0.50 VPP
CMOS Output Option3 V OH I OH= 32 mA 0.8 x V DD     V DD V
VOL I OL= 32 mA         0.4 V
Rise/Fall time (20/80%) tR,t F LVPECL/LVDS/CML         350 ps
CMOS with CL= 15 pF     1     ns
Symmetry (duty cycle) SYM LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:
V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2
45     55 %
3Silicon晶體振蕩器\530EC156M250DG\Si530歐美晶體\6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振      尺寸圖Si530 Si531

OSC晶振產(chǎn)品特性:

可用于任何速率的輸出

頻率從10兆赫到945兆赫

并選擇1.4 GHz的頻率

集成superior的第三代DSPLL 抖動性能

頻率穩(wěn)定性比高3倍

基于SAW的振蕩器

內(nèi)部固定晶振頻率

確保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML輸出 3.3、2.5和1.8 V電源選項(xiàng)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7毫米

封裝和引腳排列

無鉛/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)Si530 Si531 1 Si530 Si531 2

更多相關(guān)美國Silicon晶振型號

歐美晶振原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
531EC155M520DG Silicon振蕩器 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC187M500DG Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DG Silicon振蕩器 Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC187M500DG Silicon振蕩器 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DG Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DG Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DG Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DG Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC000110DG Silicon振蕩器 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DG Silicon振蕩器 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC155M520DG Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530EC156M250DG Silicon振蕩器 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DG Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DG Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC187M500DG Silicon振蕩器 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DG Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC200M000DG Silicon振蕩器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DG Silicon振蕩器 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC156M250DG Silicon振蕩器 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DG Silicon振蕩器 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530BC000110DG Silicon振蕩器 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530FC148M500DG Silicon振蕩器 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
536AB125M000DG Silicon振蕩器 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
535EB125M000DG Silicon振蕩器 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
536EB125M000DG Silicon振蕩器 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
535BB125M000DG Silicon振蕩器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
535BB156M250DG Silicon振蕩器 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
535FB156M250DG Silicon振蕩器 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
530EC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530EC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DG Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531EC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530BC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DG Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon振蕩器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DG Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531EC312M500DG Silicon振蕩器 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC622M080DG Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC250M000DG Silicon振蕩器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DG Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530FC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC250M000DG Silicon振蕩器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon振蕩器 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DG Silicon振蕩器 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon振蕩器 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
535AB125M000DG Silicon振蕩器 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
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