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511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振

頻率：100MHZ

尺寸：5.00mmx3.20mm

511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率100MHZ，電壓為2.5V，頻率穩(wěn)定性20ppm.輸出為LVDS，Silicon Crystal，Silicon有源振蕩器，差分晶振LVDS，低功耗振蕩器，有源貼片晶振，XO時鐘振蕩器，SMD振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions公司先進(jìn)的DSPLL技術(shù)提供從100千赫到250兆赫的任何頻率。不像傳統(tǒng)的XO其中每個輸出頻率需要不同的晶體，Si510/511使用一個固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL合成器在這個范圍內(nèi)產(chǎn)生任何頻率。

這解決方案提供卓越的電源噪聲抑制，簡化低抖動時鐘在嘈雜的環(huán)境中產(chǎn)生。晶體ESR和DLD是獨立的生產(chǎn)測試，以保證性能和提高可靠性。Si510/511差分晶體振蕩器可在工廠配置，適用于各種用戶規(guī)格;包括頻率、電源電壓、輸出格式、輸出使能極性、和穩(wěn)定性。特定的配置是在出廠時編程的運(yùn)輸，消除了漫長的交貨期和非經(jīng)常性的工程費(fèi)用與自定義頻率振蕩器相關(guān)聯(lián)。511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振.


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511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率100MHZ，電壓為2.5V，頻率穩(wěn)定性20ppm.輸出為LVDS，Silicon Crystal，Silicon有源振蕩器，差分晶振LVDS，低功耗振蕩器，有源貼片晶振，XO時鐘振蕩器，SMD振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions公司先進(jìn)的DSPLL技術(shù)提供從100千赫到250兆赫的任何頻率。不像傳統(tǒng)的XO其中每個輸出頻率需要不同的晶體，Si510/511使用一個固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL合成器在這個范圍內(nèi)產(chǎn)生任何頻率。

這解決方案提供卓越的電源噪聲抑制，簡化低抖動時鐘在嘈雜的環(huán)境中產(chǎn)生。晶體ESR和DLD是獨立的生產(chǎn)測試，以保證性能和提高可靠性。Si510/511差分晶體振蕩器可在工廠配置，適用于各種用戶規(guī)格;包括頻率、電源電壓、輸出格式、輸出使能極性、和穩(wěn)定性。特定的配置是在出廠時編程的運(yùn)輸，消除了漫長的交貨期和非經(jīng)常性的工程費(fèi)用與自定義頻率振蕩器相關(guān)聯(lián)。511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振.2

511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振      參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
CMOS Output Logic
High 		V OH 0.85 x V DD — — V
CMOS Output Logic
Low 		VOL — — 0.15 x V DD V
CMOS Output Logic
High Drive 		I OH 3.3 V –8 — — mA
2.5 V –6 — — mA
1.8 V –4 — — mA
CMOS Output Logic
Low Drive 		I OL 3.3 V 8 — — mA
2.5 V 6 — — mA
1.8 V 4 — — mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD) 		TR/T F 0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF 		0.45 0.8 1.2 ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load 		0.3 0.6 0.9 ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 565 ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 470 ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 350 — 800 ps
LVPECL Output
Common Mode 		VOC 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		— V DD –
1.4 V 		— V
LVPECL Output Swing VO 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		0.55 0.8 0.90 VPPSE
LVDS Output Common
Mode 		VOC 100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V 		1.13 1.23 1.33 V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V 0.83 0.92 1.00 V
LVDS Output Swing VO Single-ended, 100 Ω differential
termination 		0.25 0.35 0.45 VPPSE
HCSL Output Common
Mode 		VOC 50 Ω to ground 0.35 0.38 0.42 V
HCSL Output Swing VO Single-ended 0.58 0.73 0.85 VPPSE
Duty Cycle DC All formats 48 50 52 %
3511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機(jī)晶振-Si511有源晶振       尺寸圖Si510 Si511

OscillatorCrystal產(chǎn)品特性：

支持來自的任何頻率100kHz至250MHz

低抖動操作

完全穩(wěn)定包括10年老化

全面的生產(chǎn)測試

覆蓋范圍包括晶體ESR和DLD片內(nèi)LDO電源調(diào)節(jié)器

電源噪聲濾波 3.3、2.5或1.8V工作電壓差異(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS輸出選項

可選集成1:2CMOS扇出緩沖器

OE上的不良抑制和通電

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x7、3.2x5、 和2.5x3.2毫米封裝

無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

–40至85攝氏度操作Si510 Si511 1Si510 Si511 2

更多相關(guān)Silicon晶振型號

Manufacturer Part Number原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
511BBA148M500AAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAG Silicon Labs Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510BBA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAG Silicon Labs Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAG Silicon Labs Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511FCA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±20ppm
511BCA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
530BA125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon Labs Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon Labs Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon Labs Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon Labs Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
5

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