86-0755-27838351
頻率:3.579545~30MHZ
尺寸:11.8*5.5mm
SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導(dǎo)者。我們積極為電子社會做出貢獻(xiàn),在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上,快速開發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。我們專注于最新的SMD版本的進(jìn)口晶振單元,時(shí)鐘OSC,TCXO,VCXO,OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品,支持高可靠性數(shù)據(jù),頻率范圍從16.000kHz(低)到350.000MHz(高),嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。除了SMD版本,我們還可以提供通孔型產(chǎn)品。
SMI晶振,貼片晶振,92SMX(CN)晶振,石英貼片晶振,普通貼片石英晶振外觀使用陶瓷材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用陶瓷封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻日產(chǎn)晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。
SMI晶振規(guī)格 |
單位 |
92SMX(CN)晶振頻率 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.579545~30MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
300μW |
推薦:1μW ~ 1000μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
16pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種貼片石英晶振,其內(nèi)部晶片都是制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。SMI晶振,貼片晶振,92SMX(CN)晶振,石英貼片晶振
4:粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致大體積陶瓷封裝晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.
使用無源進(jìn)口四腳晶振產(chǎn)品時(shí),請?jiān)谝?guī)格說明產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
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