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維管晶振,溫度補(bǔ)償晶振,VT-822振蕩器

頻率:10.000MHz~54.000MHz

尺寸:3.2*2.5*1.0mm

3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的進(jìn)口晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
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維管晶振,溫度補(bǔ)償晶振,VT-822振蕩器.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

Vectron國(guó)際公司是世界領(lǐng)先的頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計(jì)、制造和營(yíng)銷(xiāo)的領(lǐng)導(dǎo)者,它采用了從直流到微波頻率的大量聲波(BAW)和表面聲波(SAW)的最新技術(shù).產(chǎn)品包括晶體和進(jìn)口環(huán)保晶振;頻率翻譯;時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;看到過(guò)濾器;用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時(shí)、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的水晶過(guò)濾器和組件.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.

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Vectron晶振

VT-822晶振

輸出類(lèi)型

CMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+2.5V、+3.3V

頻率范圍

10.00MHz~54.00MHz

頻率穩(wěn)定度

±2.5ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-40℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

VT-822 3225 TCXO

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熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的3225有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

清洗

關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題,但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英貼片晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).

有關(guān)SMD產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述,請(qǐng)參照“表面貼裝型晶體產(chǎn)品的回流焊焊接溫度描述”.

由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗.

若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致高精度晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用普通有源歐美晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致有源晶體無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

晶振的軟焊溫度條件被設(shè)計(jì)成可以和普通電子零部件同時(shí)作業(yè),但如果是超過(guò)規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請(qǐng)避免不必要的高溫度.

靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

VT-822

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