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晶振帝國
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Transko晶振,VCXO晶振,TSMV3壓控晶體振蕩器

頻率:1.250MHz~70.000MHz

尺寸:3.2*2.5*1.1mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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Transko晶振,VCXO晶振,TSMV3壓控晶體振蕩器.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

Transko團(tuán)隊(duì)導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意,并使我們能夠提供最好的支持.已實(shí)施質(zhì)量體系以滿足國家和國際質(zhì)量體系要求.質(zhì)量體系符合ISO9001:2008的要求,并不斷提高質(zhì)量管理體系的有效性.不斷致力于持續(xù)改進(jìn).Transko晶振電子公司認(rèn)識到這一點(diǎn)員工的發(fā)展以及他們的支持是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量始終如一,最終達(dá)到客戶滿意度的最重要因素.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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Transko晶振

TSMV3晶振

輸出類型

HCMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V~+3.3V

頻率范圍

1.25MHz~70.00MHz

頻率穩(wěn)定度

±3ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

TSMV3 3225 VCXO

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激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致耐高溫晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的3225有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

TSMV3

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