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Sitime晶振,OSC晶振,SiT1602有源晶體振蕩器

頻率:3.750MHz~77.760MHz

尺寸:2.0*1.6*0.75mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

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Sitime晶振,OSC晶振,SiT1602有源晶體振蕩器.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

SiTime擁有一個世界級的模擬工程團(tuán)隊,該團(tuán)隊提供了業(yè)內(nèi)最高的性能和最靈活的振蕩器.自2006年我們的第一次產(chǎn)品介紹以來,我們改進(jìn)了頻率穩(wěn)定性性能250次(以性能指標(biāo)衡量),改進(jìn)了抖動性能800次,改善了艾倫偏差3萬次,并改善了功耗100次,同時保持了我們的產(chǎn)品的靈活性和可靠性.Sitime晶振公司最近的精英平臺就是這樣一個例子——基于這種架構(gòu)的產(chǎn)品提供了最好的動態(tài)性能和更多的特性,而不是市場上的任何振蕩器.

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Sitime晶振

SiT1602晶振

輸出類型

        LVCMOS/HCMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.62V~+3.63V

頻率范圍

3.750MHz~77.760MHz

頻率

±20ppm

工作溫度

-20℃~+70℃

-40℃~+85℃

保存溫度

-65℃~+150℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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SiT1602 2016 2520 3225 5032 7050 OSC

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輸出負(fù)載

建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英2016晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機(jī)械處理

當(dāng)有源環(huán)保晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強(qiáng)大的沖擊已給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

SiT1602

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