86-0755-27838351
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2*0.55mm
32.768K有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
Sitime晶振,有源晶體振蕩器,SiT1533進(jìn)口晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
SiTime的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學(xué).在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立Sitime晶振之前,他們花了數(shù)年時(shí)間,在德國(guó)的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案.自2005年成立以來(lái),SiTime公司開(kāi)發(fā)了幾代先進(jìn)的kHz和MHz MEMS諧振器,它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我們還開(kāi)發(fā)了一個(gè)全面的開(kāi)發(fā)和仿真平臺(tái),確保了我們所有MEMS諧振器的第一個(gè)硅成功.SiTime的MEMS諧振器不僅在我們銷售的每一個(gè)產(chǎn)品中都有,其他半導(dǎo)體公司也集成了SiTime的MEMS諧振器在它們的SOCs中,提供獨(dú)特的、大容量的解決方案,不需要外部時(shí)鐘.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源低功耗晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
Sitime晶振 |
SiT1533晶振 |
輸出類型 |
LVCMOS |
輸出負(fù)載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.5V~+3.63V |
頻率范圍 |
32.768KHZ |
頻率 |
20ppm |
工作溫度 |
-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-65℃~+150℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英32.768K晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英耐高溫晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
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