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SUNTSU晶振,有源晶體振蕩器,SXO32C低電壓晶振

頻率:1.000MHz~133.000MHz

尺寸:3.2*2.5*1.2mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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SUNTSU晶振,有源晶體振蕩器,SXO32C低電壓晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

在今天的經(jīng)濟(jì)中,科技公司需要靈活的供應(yīng)商,以支持他們的工程團(tuán)隊(duì)及其獨(dú)特的應(yīng)用,以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,有競爭力的價(jià)格和可靠的交付.Suntsu致力于成為該供應(yīng)商.今天,SUNTSU晶振能夠滿足最基本的最嚴(yán)格的頻率控制要求.我們的月產(chǎn)能在過去幾年中大幅增長,截至2009年,我們每個(gè)月可以支持3千3百萬個(gè)組件.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

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SUNTSU晶振

SXO32C晶振

輸出類型

      CMOS

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V~+3.3V

頻率范圍

1.00MHz~133.00MHz

頻率穩(wěn)定度

±20ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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SXO32C 3225 OSC

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晶體振蕩器

如果過大的激勵(lì)電力對超薄型晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.

讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.

晶體振蕩器

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.

晶體濾波器

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.

如果過大的激勵(lì)電力對3225有源晶振外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化.

請?jiān)跊]有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.

SXO32C 3225 OSC

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