86-0755-27838351
頻率:32.768KHZ
尺寸:5.2*1.4mm
微晶晶振,耐撞擊晶振,MS3V-T1R晶體.普通插件石英晶振外觀(guān)使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀(guān)本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).
微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品.而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式壓電石英晶體(32kHz ~ 250MHz),實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊,晶振和OCXO等多個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商,為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持,服務(wù)范圍涵蓋手機(jī),計(jì)算機(jī),汽車(chē)電子,手表,工業(yè)控制,植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使進(jìn)口晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
所有石英晶體壓控控制振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象.
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近低損耗晶振的地方(在20mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則32.768K晶振或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)
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