86-0755-27838351
頻率:20.000MHz~320.000MHz
尺寸:7.0*5.0*2.0mm
這款貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
QuartzCom晶振,進(jìn)口石英晶體振蕩器,MCO-1S-DS-6p晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
產(chǎn)品組合:壓電組件,例如晶體單元,石英振蕩器(XO,VCXO,TCXO,VC-TCXO,OCXO),聲表面濾波器(石英,SAW和陶瓷),傳感器和壓控振蕩器(VCO);提供SMD和帶引線(xiàn)的封裝,尺寸從最小的1.6 x 2.0 mm晶體單元到50 x 50 mm的DOCXO,提供的頻率范圍為32.768 kHz至5 GHz)
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱(chēng)為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英低功耗晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.
QuartzCom晶振 |
MCO-1S-DS-6p晶振 |
輸出類(lèi)型 |
LVDS |
輸出負(fù)載 |
15pF~50pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+2.5V,+3.3V |
頻率范圍 |
20.000MHz~320.000MHz |
頻率穩(wěn)定度 |
±25ppm ±50ppm |
工作溫度 |
-20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解7050晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.機(jī)械振動(dòng)的影響,當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至低功耗晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的數(shù)碼電子晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.
電話(huà):+86-0755-27838351
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