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ILSI晶振,石英貼片晶振,IL3X音叉水晶振子

頻率:32.768KHZ

尺寸:3.2*1.5*0.9mm

小體積32.768K時(shí)鐘晶振,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).
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ILSI晶振,石英貼片晶振,IL3X音叉水晶振子.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使壓電晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

ILSI晶振廠家提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,我們的主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)基于石英或壓電晶體的產(chǎn)品,其中包括晶體振蕩器以及各種封裝類型的石英或壓電晶體.我們的晶體振蕩器套件包括我們的時(shí)鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO產(chǎn)品.

2

ILSI晶振

單位

IL3X晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±20ppm

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

6.0pF

9.0pF

12.5pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

IL3X 3215

4

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

抗沖擊

晶體可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果超薄型晶振已受過沖擊請(qǐng)勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致貼片石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏SMD晶振.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用3215晶振產(chǎn)品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

晶振使用注意事項(xiàng)

使用低功耗晶振時(shí),請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用.

智能穿戴晶振的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)滿足它的規(guī)格書.通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品.但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸晶振.請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用產(chǎn)品所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任.

IL3X

5

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