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ILSI晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,I789晶振

頻率:13.000MHz~52.000MHz

尺寸:2.0*1.6*0.8mm

石英貼片晶振具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應(yīng)DC+1.8V±0.1Vto+3.2V±0.1V)高度:最高1.0mm,體積:0.007cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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ILSI晶振,壓控溫補(bǔ)振蕩器,I789晶振.貼片石英晶體振蕩器,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

ILSI America LLC提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,我們的主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)基于2016晶振或壓電晶體的產(chǎn)品,其中包括晶體振蕩器以及各種封裝類型的石英或壓電晶體.我們的晶體振蕩器套件包括我們的時鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO產(chǎn)品.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片進(jìn)口晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

2

ILSI晶振

I789晶振

輸出類型

Clipped Sine wave

輸出負(fù)載

10pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V~+3.3V

頻率范圍

13.00MHz~52.00MHz

頻率穩(wěn)定度

±2.0ppm

工作溫度

0℃~+70℃

-20℃~+70℃

-30℃~+85℃

保存溫度

-40℃~+85℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

I589_I789-Series 2016 TCXO VCTCXO

4

清洗

關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個高精度晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).

由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗.

若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn).

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

輸出負(fù)載

建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

I589 I789

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