86-0755-27838351
頻率:6MHZ
尺寸:10.08*4.5mm
CTS晶振,ATS晶振,高質(zhì)量插件晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算)
CTS公司成立于1896,是全球設(shè)計和制造各種電子元器件、傳感器和執(zhí)行器的領(lǐng)導者.主要滿足原始設(shè)備制造商(OEM)的需求,CTS以其超過100年的創(chuàng)新產(chǎn)品和卓越工程而自豪.CTS歐美晶振產(chǎn)品的生產(chǎn)采用最先進的技術(shù),由一個高素質(zhì)和敬業(yè)的員工驅(qū)動.
CTS晶振規(guī)格 |
單位 |
ATS晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
6MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100,1000μW Max. |
推薦:100,1000μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12pF,16PF,18PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
抗沖擊是指插件晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英49S晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
機械振動的影響
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用49S晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英時計產(chǎn)品晶振產(chǎn)品甚至49S插件晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些插件晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
激勵功率
在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
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