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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進口晶振品牌代理商

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晶振帝國
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Abracon晶振,進口石英晶振,AB26TRQ晶體

頻率:32.768KHZ

尺寸:5.2*1.4mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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Abracon晶振,進口石英晶振,AB26TRQ晶體.體積非常小的插件石英晶振器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):高精度石英晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

什么使IoT打勾?Abracon的低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低負載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組. 在降低功耗的競爭中,許多片上石英晶體振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動,通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩. Abracon進口晶振的最新系列用于微功率應(yīng)用的石英晶體振蕩器克服了這些挑戰(zhàn).

2

Abracon晶振

單位

AB26TRQ晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40℃~+85℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±20ppm

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

12.5pF

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

AB26TRQ 5.2-1.45

4

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保進口32.768K晶振未撞擊機器或其他電路板等.

使用環(huán)境(溫度和濕度)

請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.

晶體單元/諧振器

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致石英時計產(chǎn)品晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).

AB26TRQ

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