86-0755-27838351
頻率:1.000MHz~50.000MHz
尺寸:3.2*2.5*1.1mm
ACT晶振,壓控晶體振蕩器,3CSV-4晶振.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
我們不僅僅是頻率控制,還是以工程為主導(dǎo)的技術(shù)支持,定制設(shè)計(jì)/非標(biāo)準(zhǔn)頻率晶體和微控制器匹配服務(wù).樣品庫存位于英國的晶振廠家內(nèi)部技術(shù)實(shí)驗(yàn)室廣泛而成熟的全球分銷網(wǎng)絡(luò)全面的售后支持庫存管理通過ISO9001和TS16949認(rèn)證.
ACT晶振 |
3CSV-4晶振 |
輸出類型 |
HCMOS/TTL |
輸出負(fù)載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
1.8V,2.5V,3.3V,5.0V |
頻率范圍 |
1.000MHz~50.00MHz |
頻率穩(wěn)定度 |
±25ppm、±50ppm、±100ppm |
工作溫度 |
-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時(shí)間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源高精度石英晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時(shí),指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).
如何正確的使用有源晶振
電處理:將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英數(shù)碼電子晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
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