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ACT晶振,壓電石英晶體,2016-SMX-4晶振

頻率:16.000MHz~62.500MHz

尺寸:2.0*1.6*0.5mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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ACT晶振,壓電石英晶體,2016-SMX-4晶振.小型貼片石英進(jìn)口晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

自1986年以來,ACT晶振以前的高級晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計合作伙伴.我們與Esterline研究和設(shè)計(ERD)的合作使我們能夠突破進(jìn)口石英晶振技術(shù)的界限.這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù).各種標(biāo)準(zhǔn)頻率產(chǎn)品我們還擁有強(qiáng)大的頻率控制產(chǎn)品組合,包括晶體,時鐘振蕩器,TCXO和濾波器.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片耐高溫晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

2

ACT晶振

單位

2016-SMX-4晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

16.000MHz~62.500MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55℃~+125

裸存

工作溫度

T_use

-20℃~+70℃

-30℃~+85℃

-40℃~+85℃

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

1.0μW Max.

推薦:10μW

頻率公差

f_— l

±10ppm~±50ppm

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com/

頻率溫度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

6pF~16pF

不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

2016-SMX-4 2016

4


引線類型產(chǎn)品

當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.

裝載SMD產(chǎn)品

SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響.在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、聲表面濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.

晶體諧振器

如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.

晶體振蕩器

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.

有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.

晶體濾波器

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.

如果貼裝2016晶振晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路.

2016-SMX-4

5

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