86-0755-27838351
頻率:32.768KHZ
尺寸:5.0*3.2*1.2mm
NSK晶振,有源晶體振蕩器,NAOH晶振.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
NSK的產品被廣泛地運用在個人計算機,安全系統(tǒng),通訊,無線應用,遙控單元和消費性電子產品等,并已陸續(xù)獲得國內外電腦及通訊大廠認可及使用.NSK晶振已獲得ISO 9001 / ISO 14001的品質和環(huán)保認證,產品并通過及符合Rohs規(guī)范的要求,且確實配合客戶實現無毒產品的要求,以創(chuàng)造及維護美好環(huán)境為己任.NSK之環(huán)境管制物質控制規(guī)范,系依「歐盟RoHS指令標準參數」,「REACh法規(guī)」,「SONY技術標準SS-00259」以及其他客戶要求NSK之環(huán)境管制物質控制規(guī)范.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使低功耗晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
NSK晶振 |
NAOH晶振 |
輸出類型 |
CMOS |
輸出負載 |
15pF |
振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
電源電壓 |
+1.8V,+2.5V,+3.3V |
頻率范圍 |
32.768KHZ |
頻率穩(wěn)定度 |
±25ppm ±30ppm ±50ppm ±100ppm |
工作溫度 |
-20℃~+70℃ |
保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 |
5 ms Max |
相位抖動(12兆赫~20兆赫) |
1個PS最大 |
老化率 |
±3 ppm /年最大 |
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的5032晶振的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.機械振動的影響,當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶體產品設計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產品甚至石英晶振使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,WirelessLAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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