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NSK晶振,有源晶體振蕩器,NAOH晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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NSK晶振,有源晶體振蕩器,NAOH晶振.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

NSK的產品被廣泛地運用在個人計算機,安全系統(tǒng),通訊,無線應用,遙控單元和消費性電子產品等,并已陸續(xù)獲得國內外電腦及通訊大廠認可及使用.NSK晶振已獲得ISO 9001 / ISO 14001的品質和環(huán)保認證,產品并通過及符合Rohs規(guī)范的要求,且確實配合客戶實現無毒產品的要求,以創(chuàng)造及維護美好環(huán)境為己任.NSK之環(huán)境管制物質控制規(guī)范,系依「歐盟RoHS指令標準參數」,「REACh法規(guī)」,「SONY技術標準SS-00259」以及其他客戶要求NSK之環(huán)境管制物質控制規(guī)范.

貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使低功耗晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

2

NSK晶振

NAOH晶振

輸出類型

         CMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V,+2.5V,+3.3V

頻率范圍

32.768KHZ

頻率穩(wěn)定度

±25ppm

±30ppm

±50ppm

±100ppm

工作溫度

-20℃~+70℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

NAOH 53 5032 32.768k OSC

4

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的5032的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.

化學制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.機械振動的影響,當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶體產品設計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產品甚至石英晶振使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

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