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NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振,32.768K晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*1.5mm

此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn)，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：86-0755-27838351

NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振,32.768K晶振,日本NDK晶振集團(tuán)創(chuàng)造利益，提升企業(yè)價(jià)值的同時(shí)，為了繼續(xù)提升企業(yè)的價(jià)值，我們認(rèn)為維持經(jīng)營的透明性，確實(shí)盡到對(duì)各位股份持有者說明的責(zé)任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少，我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理準(zhǔn)則，由此我們迎來了兩位外部董事。加大強(qiáng)化相關(guān)經(jīng)營監(jiān)察機(jī)能、遵守法律，確保說明責(zé)任，迅速且適當(dāng)?shù)毓夹畔?，履行環(huán)境保全等的社會(huì)責(zé)任，而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。

NDK晶振將：通過適當(dāng)控制晶振環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo)，同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng)，并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人，通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開。千赫子音叉計(jì)時(shí)晶體,二腳陶瓷面3215晶振,NX3215SA晶振

音叉表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振,32.768K晶振

通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了NDK晶振廠家的競爭力，使NDK晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。千赫子音叉計(jì)時(shí)晶體,二腳陶瓷面3215晶振,NX3215SA晶振

千赫子音叉計(jì)時(shí)晶體,二腳陶瓷面3215晶振,NX3215SA晶振

NDK晶振規(guī)格	單位	NX3215SA晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.1,0.5μW Max.	推薦:0.1,0.5μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com
頻率溫度特征	f_tem	-0.04× 10-6/-40°C ～ +125°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

千赫子音叉計(jì)時(shí)晶體,二腳陶瓷面3215晶振,NX3215SA晶振

如果由頻率計(jì)數(shù)器測量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加32.768K系列晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。NDK晶振,貼片晶振,NX3215SA晶振,32.768K晶振

如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的無源貼片晶振。方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測量所述3215貼片晶振，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。千赫子音叉計(jì)時(shí)晶體,二腳陶瓷面3215晶振,NX3215SA晶振

千赫子音叉計(jì)時(shí)晶體二腳陶瓷面3215晶振 NX3215SA晶振

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