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NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,進(jìn)口晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,進(jìn)口晶振,NDK晶振集團(tuán)所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機(jī)市場(chǎng)的擴(kuò)大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來(lái)的搭載部件的構(gòu)成的變化，使得TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。由此，本集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場(chǎng)的產(chǎn)品的再?gòu)?qiáng)化上，把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長(zhǎng)戰(zhàn)略。

NDK晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各晶振行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。過(guò)去NDK晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。輕型32.768K時(shí)鐘晶體,音叉型2012晶體諧振器,NX2012SA晶振

32.768K千赫子時(shí)鐘晶體，其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品，或者是控制模塊，主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)，其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,進(jìn)口晶振

音叉表晶的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。輕型32.768K時(shí)鐘晶體,音叉型2012晶體諧振器,NX2012SA晶振

輕型32.768K時(shí)鐘晶體,音叉型2012晶體諧振器,NX2012SA晶振

NDK晶振規(guī)格	單位	NX2012SA晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.1,0.5μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wzjingmei.com
頻率溫度特征	f_tem	-0.04× 10-6/-40°C ～ +125°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6,9,12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

輕型32.768K時(shí)鐘晶體,音叉型2012晶體諧振器,NX2012SA晶振

2012貼片晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,進(jìn)口晶振

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)32.768K二腳諧振器產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于32.768K晶體諧振器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。輕型32.768K時(shí)鐘晶體,音叉型2012晶體諧振器,NX2012SA晶振

輕型32.768K時(shí)鐘晶體音叉型2012晶體諧振器 NX2012SA晶振

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X1A000021001000晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

: 大河晶振,貼片晶振,TFX-03L晶振,音叉晶振; 此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來(lái)高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn)，此音叉型石英晶體諧振器,進(jìn)口晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

: 大河晶振,貼片晶振,TFX-03晶振,32.768K晶振; 超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.