86-0755-27838351
頻率:26M~52MHZ
尺寸:1.2x1.0mm
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力.
日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售
NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社的發(fā)展歷史:
1948 年 在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會社生產(chǎn)銷售32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振等元器件.
1949 年 開始晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的制造、銷售
1950 年 NDK晶振公司名變更為日本電波工業(yè)株式會社
總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町
1954 年 建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町(現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原)
1959 年 日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社開始晶體濾波器,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的制造
1960 年 開始晶體振蕩器,貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,石英晶體的制造
1962 年 日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社著手在崎玉縣狹山市建立新工廠(現(xiàn)為 狹山事業(yè)所)
1963 年 在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造
在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠,在日本證券業(yè)協(xié)會進(jìn)行店面登記
1964 年 在狹山事業(yè)所建成組裝工廠
在大阪府大阪市設(shè)立大阪辦事處
1970 年 在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社(現(xiàn)為 新瀉NDK)
1975 年 日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社在美國加利福尼亞州設(shè)立美國辦事處
1976 年 在宮城縣古川市(現(xiàn)為 大崎市)建立古川NDK株式會社
1979 年 在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生產(chǎn)銷售32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等
日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社為取得更大發(fā)展而解散美國辦事處,設(shè)立NDK America, Inc.
1985 年 日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振在狹山事業(yè)所主樓竣工
1986 年 在愛知縣岡崎市設(shè)立中部營業(yè)所
在馬來西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.(現(xiàn)為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.)
狹山事業(yè)所新館竣工
1988 年 在新加坡設(shè)立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.(現(xiàn)為 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.)
在英國設(shè)立NDK Europe Ltd.
1989 年 北在北海道函館市建立函館NDK株式會社
1990 年 在東京都新宿區(qū)西新宿設(shè)立總公司事務(wù)所 在東京證券交易所 市場第2部上市
1994 年 在中國江蘇省建立蘇州日本電波工業(yè)有限公司,生產(chǎn)銷售石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等,在意大利設(shè)立NDK Italy Srl(現(xiàn)為 NDK Europe Ltd. Italy Office)NDK取得ISO9001認(rèn)證
1995 年 在香港成立日本電波工業(yè)(香港)有限公司
1998 年 NDK取得QS9000認(rèn)證 在東京證券交易所 市場第1部上市
1999 年 狹山事業(yè)所取得ISO14001認(rèn)證
2001 年 在德國設(shè)立NDK Europe Ltd. German Office
2002 年 NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國上海設(shè)立日電波水晶(上海)貿(mào)易有限公司
2004 年 在北海道千歲市成立千歲技術(shù)中心
2005 年 函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 總公司搬至東京都涉谷區(qū)笹冢
2008 年 品質(zhì)保證試驗(yàn)室取得ISO/IEC 17025:2005的認(rèn)證獲東京海關(guān)批準(zhǔn)為特定出口商
2009 年 狹山事務(wù)所內(nèi)的新研發(fā)大樓"Laboratory ATOM"竣工在中國蘇州設(shè)立蘇州日電波貿(mào)易有限公司
2010 年 NDK石英晶振成為日本國內(nèi)第一家遵循IFRS準(zhǔn)則的企業(yè)
2014 年 NDK晶振集團(tuán)取得ISO13485認(rèn)證
2015 年 日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振總部遷到東京都澀谷區(qū)笹冢(和遷移前相同區(qū)域)
NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌鲱I(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
NDK晶振規(guī)格 |
單位 |
NX1210AB晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
26MHZ~52MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)
以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是NDK晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果石英晶振,貼片晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振
當(dāng)有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動后端電路.
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統(tǒng)無法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒有足夠的輸出波形振幅.
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