EPSON晶振,貼片晶振,EG-2102CB晶振,具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應(yīng)回流焊） 無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
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項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
100-700MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
1.超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因為晶振可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品
（4）對于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
2.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
3.使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持SPXO振蕩器適當(dāng)?shù)募罟β?
負(fù)極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與陶瓷霧化片設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容
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