日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本株式會社大真空KDS晶振發(fā)展史:
1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.
1963公司變更為合股公司組織.
1965開始大規(guī)模生產(chǎn)石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.
1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業(yè).
1973年開設kurodasho廠(現(xiàn)在的西脅工廠)生產(chǎn)晶體管.
1974年開設川廠(現(xiàn)在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產(chǎn)規(guī)模最大的.
1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產(chǎn),在加古川市完成新總部.
1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.
1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產(chǎn)部)對晶體諧振器生產(chǎn)增加.同年開始生產(chǎn)石英晶體濾波器和晶振時鐘.
1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.
1983年大阪證券交易所二期上市.
1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產(chǎn)部)作為人造石英晶體的穩(wěn)定的生產(chǎn)基地,部分設備和石英諧振器,開始大規(guī)模生產(chǎn)光學低通濾波器.
1985年打開德島第二廠開始生產(chǎn)陶瓷產(chǎn)品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.
1987名古屋辦事處開業(yè).開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產(chǎn)和電壓控制晶體振蕩器(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區(qū)銷售.
1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產(chǎn)晶體諧振器.
1990-1991大阪證券交易所第一節(jié)上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.
1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產(chǎn).
1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).
1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.)
2000獲得ISO14001(環(huán)境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規(guī)范由國際標準化組織).
2003擴大生產(chǎn)規(guī)模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿(mào)易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業(yè)務.
2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.
2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.
2013東京證券交易所第一節(jié)上市.
KDS晶振,32.768K貼片晶振,DST311S晶振,日本進口貼片晶振品牌【EPSON】日本愛普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西鐵城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列,在當今全球晶振市場說的上是質優(yōu)價廉,產(chǎn)品本身外觀是多種化,體積有大有小,有二個腳SMD焊接模式,也有三個腳SMD焊接模式,一樣有四個腳焊接模式,還有時鐘模塊焊接模式,產(chǎn)品具有無源32.768KHZ,也有帶電壓模式的32.768KHZ晶體系列,產(chǎn)品應用范圍非常廣闊,比如多種電子消費類,手機應用,藍牙多功能播放器,無線通訊產(chǎn)品,平板電腦等多個領域,因32.768KHZ晶體本身外觀款式多元化,所以適合多個產(chǎn)品應用.并且滿足歐盟ROHS環(huán)保要求,晶體本身有重量輕,體積小,超薄型等多種優(yōu)勢,得到市場認可.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DST311S晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用KDS晶振時應注意以下事項
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.KDS晶振,32.768K貼片晶振,DST311S晶振
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.