86-0755-27838351
頻率:10~40MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振,7050mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英差分晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
10-40MHz |
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電源電壓 |
VCC |
2.7-5.5 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10℃ to +70℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給京瓷溫補晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,進口溫補晶振因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。進口7050晶振即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
京瓷晶振,有源晶振,KT7050晶振
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