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KDS晶振,DSO221SXF晶振,藍牙晶振

頻率:1~125MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.
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黑色陶瓷面石英晶體,MHZ7050進口諧振器,JXG75P4晶振KDS晶振,DSO221SXF晶振,藍牙晶振

  日本大真空株式會社,KDS】品牌,實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有生產工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現在以小體積貼片晶體振蕩器為主,體積已經是全世界石英晶體振蕩之中最小的.

高精度石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英耐高溫晶振目前主要使用的有AT切、BT.其它切型還有CTDT、GTNT.

普通石英壓控晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

2

KDS晶振,DSO221SXF晶振,藍牙晶振,如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英2520晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

機械振動的影響

當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管SMD晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗高精密貼片晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值.當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

3

DSO221SXF_dime_jp

4

項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

32.768KHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息

電源電壓

VCC

1.6-3.6V

聯(lián)系我們以了解更多相關信息

儲存溫度

T_stg

-40 to +85

裸存

工作溫度

T_use

G: -10 to +70

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wzjingmei.com 

H: -30 to +85


頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年


5


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