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KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

頻率:3.25MHZ~52MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術(shù),是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝,使產(chǎn)品在各項參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.
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1KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

日本株式會社大真空晶振總公司設(shè)立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959113,正式注冊成立是在196358,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件石英晶振以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產(chǎn)品,硅晶體時鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.

大真空株式會社KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念依賴可靠的人”“可靠的產(chǎn)品可靠的公司.作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.

日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國,英國,德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.依賴為公司方針,以客戶為導向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責任.

日本大真空株式會社KDS晶振,1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5.

日本大真空株式會社KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷.

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KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英2520晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

機械振動的影響

當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗高精密貼片晶振設(shè)置一個規(guī)定的負載阻抗值.當一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

3

DSO221SBM 2520 SPXO

4

項目 記號 特性コード 出力周波數(shù)範囲
(MHz)
規(guī)格 條件
電源
電圧
周波數(shù)
許容偏差
min. typ. max. 単位
電源電圧 VCC 3.25≦fo≦52 +4.5 +5.0 +5.5 V  
周波數(shù)許容偏差
(常溫偏差含む)
f_tol A 3.25≦fo≦52 -100 - +100 ×10-6 -40~+85℃ -10~+70℃
(標準動作溫度範囲)
B 3.25≦fo≦52 -50 - +50
C 3.25≦fo≦52 -30 - +30 -20~+70℃
消費電流 ICC 3.25≦fo≦52 - - 8.0 mA No Load
スタンバイ時電流(#1ピン"L") I_std - - 50 μA  
出力負荷 L_CMOS - - 30 pF  
波形シンメトリ SYM fo<26 45 50 55 % 50% VCC Level
fo≧26 40 50 60
0レベル電圧 VOL - - VCC×0.1 V  
1レベル電圧 VOH VCC×0.9 - -
立上り時間
立下り時間
tr, tf 3.25≦fo≦52 - - 10 ns L_CMOS:30pF 10~90% VCC Level(20~80% VCC Level)
OE端子0レベル入力電圧 VIL - - VCC×0.2 V  
OE端子1レベル入力電圧 VIH VCC×0.8 - -
出力ディスエーブル時間 tPLZ - - 150 ns  
出力イネーブル時間 tPZL - - 5 ms  
ピリオド ジッタ(1) tRMS - 2.5 - ps σ
tp-p - 20 - Peak to peak
トータル ジッタ?。?) tTL - 35 - ps tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)
位相ジッタ tpj 40≦fo≦52 - - 1 ps fo offset:12kHz~20MHz
10≦fo<40 fo offset:12kHz~5MHz
梱包単位(3) 2000pcs./reel(φ180)

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